LDTC114ELT1G 时间：2025/8/13 22:46:10 阅读：29

LDTC114ELT1G 是一款由ON Semiconductor生产的双极型晶体管（BJT）阵列，内含两个NPN晶体管。该器件采用SOT-23-6封装，适用于各种通用开关和放大应用。由于其紧凑的设计和良好的性能，LDTC114ELT1G广泛应用于便携式电子设备、通信系统和工业控制电路中。

参数

类型：BJT NPN 双极晶体管阵列
　　集电极-发射极电压（Vce）：50V
　　集电极电流（Ic）：100mA（每个晶体管）
　　功耗（Pd）：200mW
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOT-23-6

特性

LDTC114ELT1G具有优异的电气性能和稳定性，其主要特性包括高电流增益（hFE）、低饱和电压（Vce(sat)）和快速开关能力。每个晶体管都具有独立的基极、集电极和发射极引脚，允许灵活的电路设计配置。此外，该器件采用高密度封装技术，有助于节省PCB空间并提高系统集成度。
　　该晶体管阵列在高频应用中表现出色，具有较低的寄生电容和良好的频率响应。其高可靠性使其适用于要求严苛的工业和汽车电子环境。LDTC114ELT1G还具备良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内保持稳定的工作性能。

应用

LDTC114ELT1G广泛用于需要双晶体管配置的电路设计中，例如逻辑电平转换、信号放大、开关控制和驱动电路等。在便携式设备中，它可以作为低功耗开关或缓冲器使用。在通信设备中，该器件可用于射频（RF）放大和信号处理。在工业自动化系统中，LDTC114ELT1G可用于继电器驱动、传感器接口和电源管理等应用。