时间：2025/8/18 9:31:53
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CXK581100YM-10LL 是一款静态随机存取存储器（SRAM）芯片，通常用于需要高速数据访问和较低延迟的应用中。该型号的存储容量为128K x 8位，工作电压为3.3V，具有高速存取能力和低功耗特性。它采用CMOS技术制造，适合需要高性能和低功耗的数据存储场景。
存储容量：128K x 8位
电压范围：3.3V
存取时间：10ns
封装类型：TSOP
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
接口类型：并行接口
封装尺寸：54引脚
功耗：低功耗CMOS设计
数据保持电压：2.0V以上
CXK581100YM-10LL 采用高性能CMOS工艺制造，具有非常低的功耗，即使在高频工作条件下也能保持稳定的运行。其10ns的存取时间确保了快速的数据读写操作，适用于网络设备、通信系统、工业控制设备等对速度和稳定性有较高要求的场合。此外，该SRAM芯片具有宽广的工作温度范围，适用于各种恶劣环境条件下的工业应用。其TSOP封装形式有助于减少PCB空间占用，同时保证良好的电气性能和热稳定性。
该SRAM芯片广泛应用于需要高速数据存储和快速访问的电子系统中，如路由器、交换机、嵌入式系统、工业控制器、测试设备和医疗电子设备。由于其低功耗和高速特性，CXK581100YM-10LL 非常适合用于缓存、临时数据存储、高速缓冲存储器等关键系统组件。
ISSI IS61LV128AL-10B4I、Cypress CY62148EV30LL-10ZS、Microchip 23K128T-I/ST、Alliance AS7C3128A-10TC
