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LHF00L30 发布时间 时间:2025/8/28 5:17:33 查看 阅读:10

LHF00L30是一款低噪声、高线性度的砷化镓(GaAs)场效应晶体管(FET),专为高频和射频应用设计。该器件采用先进的GaAs工艺制造,具备优异的噪声性能和高增益特性,适用于无线通信、雷达、测试仪器和其他高性能射频系统。LHF00L30通常用于低噪声放大器(LNA)设计,能够在30 MHz至超过4 GHz的频率范围内高效工作。其封装形式为SOT-343,便于表面贴装,适合高密度电路设计。

参数

类型:场效应晶体管(FET)
  工艺:砷化镓(GaAs)
  频率范围:30 MHz - 4 GHz
  工作电压:5V
  工作电流:典型值20 mA
  增益:典型值16 dB @ 1 GHz
  噪声系数:典型值0.5 dB @ 1 GHz
  输出功率:典型值10 dBm
  封装类型:SOT-343
  输入/输出阻抗:50Ω

特性

LHF00L30以其卓越的射频性能在低噪声放大器设计中表现出色。其低噪声系数和高增益使其成为接收机前端设计的理想选择,能够显著提升系统的灵敏度。该器件具有良好的线性度,能够有效减少信号失真,适用于多载波和高动态范围的通信系统。此外,LHF00L30具备较高的稳定性和可靠性,在宽温度范围内工作稳定,适用于各种恶劣环境。由于其SOT-343小型封装,该器件在空间受限的高频电路中非常实用,同时具备良好的热管理和高频响应能力。LHF00L30还具有较低的功耗,适合低功耗设计需求。

应用

LHF00L30广泛应用于无线通信系统中的低噪声放大器(LNA),如蜂窝基站、Wi-Fi接入点、微波通信设备和射频测试仪器。此外,它还可用于雷达系统、卫星通信、广播接收器以及各种射频前端模块。在现代通信设备中,LHF00L30常用于提升接收信号的信噪比,确保信号传输的稳定性和清晰度。该器件也可用于宽带放大器设计,适用于多种射频和微波应用场合。

替代型号

NE3210S002、ATF-54143、BGA2807

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LHF00L30参数

  • 产品变化通告LHF00L(26,30,31) Discontinuation 28/Oct/2008
  • 标准包装960
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器闪存
  • 存储器类型FLASH
  • 存储容量16M (1M x 16)
  • 速度70ns
  • 接口并联
  • 电源电压2.7 V ~ 3.6 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳48-TSOP
  • 供应商设备封装48-TSOP
  • 包装托盘
  • 其它名称425-1887