LDTC113YLT1G 时间：2025/8/13 7:14:31 阅读：26

LDTC113YLT1G 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件主要用于电源管理和开关应用，具备低导通电阻、高效率和快速开关特性。该MOSFET采用SOT-23封装，适用于便携式电子设备、DC-DC转换器、负载开关以及电池供电系统等场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：100 mA
　　最大漏源电压（VDS）：50 V
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　导通电阻（RDS(on)）：3.5 Ω @ VGS = 10 V
　　功率耗散：300 mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：SOT-23

特性

LDTC113YLT1G MOSFET具备多项优良特性，首先是其低导通电阻，使得在导通状态下功率损耗较低，提高系统效率；其次，该器件具备较高的栅极电压耐受能力（±20V），提高了在复杂工作环境下的稳定性和可靠性。
　　此外，该MOSFET的开关速度快，适用于高频开关应用，能够有效减小外围电路的尺寸和功耗；SOT-23封装形式使其适用于高密度PCB布局，满足小型化设计需求。
　　该器件还具有良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适合工业级和消费级应用场景。其低漏电流在关断状态下也保证了较低的静态功耗，延长电池使用寿命。

应用

LDTC113YLT1G 主要应用于低功耗、小型化电子系统中，如便携式电子产品中的电源开关、DC-DC转换器中的同步整流、负载开关控制、电池管理系统（BMS）以及传感器电路中的信号控制开关。
　　由于其高可靠性和小封装，该器件也常用于通信设备、智能穿戴设备、手持测试仪器、LED驱动电路以及各种低电压、低电流的功率控制场合。