时间：2025/8/5 22:42:40
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IXTA80N10T7 是一款由 Littelfuse（前身为 International Rectifier）制造的 N 沟道功率 MOSFET，广泛应用于高功率密度和高效能的电源管理系统中。该器件采用先进的沟槽式技术，优化了导通电阻（Rds(on)）和开关性能，适合用于 DC-DC 转换器、同步整流器、电机控制以及各种功率管理应用。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏极电流（Id）：80A
最大漏源电压（Vds）：100V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：@10Vgs 下最大为 5.2mΩ
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-252（DPAK）
功率耗散（Pd）：170W
IXTA80N10T7 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了效率。该器件具有优异的热性能，能够承受较高的工作温度，确保在高负载条件下稳定运行。
此外，其低栅极电荷（Qg）设计有助于减少开关损耗，使其在高频开关应用中表现出色。MOSFET 的封装形式为 TO-252（DPAK），适合表面贴装，便于在紧凑的 PCB 设计中使用。
该器件还具备良好的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过电压条件下提供一定的保护。其坚固的设计和高可靠性使其适用于工业电源、汽车电子、通信设备等严苛环境中的应用。
IXTA80N10T7 主要用于需要高效功率转换和高电流承载能力的场合。典型应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统以及各种工业和汽车电源系统。
由于其低导通电阻和高电流能力，该 MOSFET 在电源管理模块中可显著提高转换效率，降低发热量，延长系统寿命。
在汽车电子应用中，它可用于车载充电器、DC-AC 逆变器、电动助力转向系统等关键部件。
IXTA80N10T7 的替代型号包括 IXTH80N10T7（TO-220 封装）、IRF3710、IRF3710Z、SiHF80N10、FDP80N10。
