类型：NPN 双极型晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大功耗（Pd）：300 mW
　　最大工作频率（fT）：1.2 GHz
　　增益带宽积（fT）：1.2 GHz
　　电流增益（hFE）：110 - 800（根据档位）
　　封装类型：SOT-23

LDTBG12GPLT1G 拥有出色的高频性能，其增益带宽积达到 1.2 GHz，使其非常适合用于射频放大器和高频开关电路。该器件的电流增益（hFE）范围广泛，根据不同的分档可在 110 至 800 之间变化，这为设计者提供了灵活性，可以根据具体应用选择合适的增益水平。晶体管的 SOT-23 小型封装不仅节省空间，还具有良好的热性能和电气性能，适合高密度 PCB 布局。
　　此外，LDTBG12GPLT1G 的最大集电极-发射极电压为 30 V，最大集电极电流为 100 mA，使其能够在中等功率应用中稳定运行。其最大功耗为 300 mW，确保在高频工作条件下仍具有良好的热稳定性。该晶体管的低噪声特性也使其成为低噪声放大器（LNA）的理想选择，特别是在无线通信前端电路中。LDTBG12GPLT1G 的制造工艺符合 RoHS 环保标准，支持无铅焊接工艺，符合现代电子制造的环保要求。

LDTBG12GPLT1G 主要用于需要高频性能的电子电路中，例如无线通信系统中的射频放大器、混频器和振荡器。它也适用于低噪声放大器（LNA）设计，在接收机前端提供高增益和低噪声系数。此外，该晶体管还可用于高速开关电路、信号调理电路、测试设备以及各类消费电子产品中的高频信号处理模块。其小型 SOT-23 封装也使其非常适合便携式设备和空间受限的设计。

BC847系列, 2N3904, BFQ59