LMBT3904DW 时间：2025/8/14 0:18:20 阅读：6

LMBT3904DW是一款双NPN晶体管阵列，采用SOT-363封装，由安森美半导体（ON Semiconductor）生产。这款晶体管主要用于需要高开关速度和低电压操作的数字和模拟电路中。其设计具有良好的热稳定性和电流放大能力，使其适用于各种通用放大和开关应用。LMBT3904DW的双晶体管结构使得它在单个芯片上集成了两个独立的NPN晶体管，节省了电路板空间并提高了设计灵活性。

参数

晶体管类型：双NPN晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：40V
　　最大集电极电流（IC）：100mA（每个晶体管）
　　功率耗散（PD）：200mW
　　电流增益（hFE）：100至300（在IC=2mA，VCE=5V）
　　频率响应（fT）：100MHz（最小）
　　封装类型：SOT-363
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

特性

LMBT3904DW具有多项优良的电气和物理特性，适用于广泛的电子设计需求。其高电流增益确保了优异的信号放大能力，同时具备良好的线性度，适用于模拟电路中的放大器设计。此外，该器件的高截止频率（fT）可达100MHz以上，使其在高频开关应用中表现出色，例如在数字逻辑电路和脉冲调制系统中。
　　该晶体管的低饱和电压（VCE(sat)）在最大额定电流下通常低于0.2V，有助于降低功耗并提高能效。这种特性在电池供电设备和低功耗系统中尤为重要。
　　LMBT3904DW的双晶体管结构允许用户在同一个封装中实现两个独立的NPN晶体管，节省了PCB空间并简化了设计。两个晶体管之间具有良好的匹配特性，适用于需要对称性和匹配增益的差分放大器和桥式电路等应用。
　　此外，LMBT3904DW的工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于工业级和汽车电子等苛刻环境下的应用。

应用

LMBT3904DW广泛应用于多种电子系统中，包括但不限于以下领域：
　　1. **数字逻辑电路**：用于构建缓冲器、驱动器和电平转换器，支持高速信号处理和逻辑控制。
　　2. **模拟放大器**：在音频放大器、传感器信号调理电路和运算放大器前端电路中提供高增益和低噪声性能。
　　3. **开关应用**：作为低侧开关用于控制继电器、LED、小型电机和负载驱动电路，尤其适用于需要低功耗和高可靠性的场合。
　　4. **通信系统**：在射频（RF）和中频（IF）放大器中用于信号增强，支持无线通信设备和数据传输系统。
　　5. **嵌入式系统和微控制器接口**：用于驱动MOSFET栅极、继电器线圈和其它需要电流放大的外围设备，实现微控制器与高功率负载之间的接口连接。