类型：NPN晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：100V
　　集电极-基极电压（VCBO）：100V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　功率耗散（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　电流增益（hFE）：110至800（根据工作条件不同）
　　频率响应（fT）：250MHz
　　封装类型：SOT-23

LDTB123TLT1G晶体管具备多种高性能特性，首先其NPN结构设计使其在放大和开关应用中表现出色。该晶体管的电流增益（hFE）范围较宽，从110到800，使其能够适应不同电路设计的需求。此外，该晶体管具有较高的频率响应（fT为250MHz），因此非常适合用于高频放大器和射频（RF）相关电路。LDTB123TLT1G的最大集电极电流为100mA，足以应对许多低功率应用。该器件的集电极-发射极和集电极-基极击穿电压均为100V，确保了在高压环境下的稳定运行。其SOT-23封装不仅节省空间，还提供了良好的热管理能力，确保在高负载下仍能保持稳定性能。此外，LDTB123TLT1G的额定工作温度范围从-55°C到+150°C，这使其能够在极端环境条件下可靠工作，适用于汽车电子和工业控制等对可靠性要求较高的场合。

LDTB123TLT1G晶体管广泛应用于多个领域。在消费类电子产品中，它常用于音频放大器、信号处理电路和逻辑控制电路。由于其高频响应能力，LDTB123TLT1G也被广泛用于射频（RF）放大器和调制解调器等通信设备中。在工业控制系统中，它可用于传感器接口电路、继电器驱动器和自动控制电路。此外，LDTB123TLT1G还适用于汽车电子系统，如车身控制模块（BCM）、LED照明驱动电路和车载娱乐系统等。在电源管理方面，它可用于低功率DC-DC转换器和稳压电路。由于其小型封装，LDTB123TLT1G特别适合用于便携式设备和高密度电路板设计。

MMBT123T, 2N3904, BC847, 2N2222A