LMBT2516QLT1G 时间：2025/8/14 0:56:30 阅读：10

LMBT2516QLT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 NPN 型双极性晶体管（BJT），采用 SOT-23 封装。该晶体管专为高频和低噪声应用设计，具有优异的电流增益和低电压特性，适用于无线通信、音频放大、信号处理等高性能电子系统。

参数

类型：NPN 双极性晶体管
　　最大集电极电流 (Ic)：100 mA
　　最大集电极-发射极电压 (Vce)：50 V
　　最大集电极-基极电压 (Vcb)：50 V
　　最大功耗 (Pd)：300 mW
　　电流增益 (hFE)：110 至 800（根据等级不同）
　　过渡频率 (fT)：250 MHz
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23

特性

LMBT2516QLT1G 的核心特性在于其高频率响应和低噪声性能，使其非常适合用于射频（RF）和高频信号放大电路。该晶体管具备良好的电流增益线性度，确保在放大过程中信号失真最小。其 hFE 值可高达 800，提供了优异的电流放大能力。
　　此外，LMBT2516QLT1G 采用了先进的硅外延平面技术，具有出色的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定工作。其 SOT-23 小型封装便于在高密度 PCB 设计中使用，同时具备良好的散热性能。
　　该器件符合 RoHS 环保标准，适用于无铅工艺制造，广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域。

应用

LMBT2516QLT1G 主要用于高频放大器、射频前端模块、音频前置放大器、开关电路和逻辑接口电路。由于其优异的高频性能，该晶体管常被用于无线通信系统中的信号放大与调制解调电路。
　　在音频应用中，它可用于低噪声前置放大器设计，提供清晰的音频信号放大。在数字电路中，该晶体管可作为高速开关元件使用，适用于驱动 LED、继电器和小型电机等负载。
　　此外，该器件也广泛应用于传感器接口电路、电源管理模块和便携式电子设备中，为各种低功耗、高性能的电子系统提供可靠支持。