晶体管类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：100V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功率耗散（PD）：300mW
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（根据不同档位）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

LDTB123EET1G 是一款性能优异的NPN型晶体管，具有良好的电流放大能力和高频响应特性。该晶体管的最大集电极-发射极电压为100V，能够承受较高的电压应力，适用于多种电压范围的应用场景。其最大集电极电流为100mA，适用于低至中等功率的开关和放大电路。晶体管的电流增益（hFE）范围为110至800，根据不同的应用需求可以选择合适的增益档位，从而提高电路设计的灵活性。
　　LDTB123EET1G 采用SOT-23封装，体积小巧，便于在紧凑的PCB布局中使用。该封装形式也具有良好的热性能，能够有效散热，确保晶体管在长时间工作下的稳定性。此外，晶体管的功率耗散为300mW，能够在有限的功耗条件下提供稳定的性能表现。
　　该晶体管的工作温度范围为-55°C至+150°C，能够在极端温度条件下保持正常工作，适用于工业级和汽车电子应用。晶体管的增益带宽积为100MHz，具备良好的高频响应特性，适合用于需要较高频率操作的电路设计。

LDTB123EET1G 由于其优异的性能和可靠性，广泛应用于多种电子设备和系统中。常见的应用包括通用开关电路、信号放大电路、逻辑电平转换电路、LED驱动电路以及电源管理电路。由于其较高的集电极-发射极电压和良好的高频特性，该晶体管也常用于需要较高电压和频率操作的工业控制设备和汽车电子系统中。
　　在数字电路中，LDTB123EET1G 可以作为开关元件，用于控制负载的通断。例如，在微控制器（MCU）或数字逻辑电路中，晶体管可以用来驱动继电器、LED或其他外围设备。此外，它还可以用于模拟电路中的信号放大，如音频放大器或射频（RF）信号放大器的前端电路。
　　由于其紧凑的SOT-23封装，LDTB123EET1G 也非常适合用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。在这些设备中，晶体管可以用于电源管理、传感器信号放大或通信模块的控制电路。

BC847 NPN, 2N3904, MMBT3904