晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：100 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：100 V
　　最大功耗（Pd）：300 mW
　　增益（hFE）：110 - 800（根据档位不同）
　　过渡频率（fT）：100 MHz
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

LDTB113ELT1G 晶体管具有多项优异特性，首先其 NPN 结构设计使其在开关和放大应用中表现出色，特别是在中低功率应用中能够提供较高的增益。该晶体管的 hFE（电流增益）范围为 110 至 800，根据不同的等级划分，能够满足不同应用场景对增益精度的需求。此外，其高频响应能力（fT 为 100 MHz）使其适用于高频放大电路，例如射频前端或数字开关电路。
　　该晶体管采用 SOT-23 小型封装，有助于减少 PCB 面积，提高整体设计的紧凑性。同时，SOT-23 封装具有良好的散热性能，能够在有限的空间内保持稳定运行。LDTB113ELT1G 还具备较强的温度适应能力，能够在 -55°C 至 +150°C 的宽温度范围内正常工作，适用于工业和汽车电子等对环境要求较高的应用领域。
　　在可靠性方面，LDTB113ELT1G 拥有较高的击穿电压（Vce 和 Vcb 均为 100V），能够在高压环境下保持稳定的性能，降低因电压波动而导致损坏的风险。同时，其最大功耗为 300mW，确保在一般应用中不会因过热而失效。

LDTB113ELT1G 主要应用于各种通用电子电路中，包括信号放大器、开关电路、逻辑门电路、缓冲器、驱动电路等。由于其较高的增益和频率响应，该晶体管常用于音频放大器、射频信号处理、传感器信号调理等模拟电路中。此外，LDTB113ELT1G 也广泛应用于数字电路中作为开关元件，例如用于控制 LED 显示、继电器驱动、电机控制等场景。
　　在工业自动化和汽车电子系统中，该晶体管可用于电源管理、马达驱动、传感器接口等模块。其宽工作温度范围和高可靠性也使其成为车载电子设备、户外通信设备和工业控制系统的理想选择。同时，由于其小型封装，LDTB113ELT1G 也适合用于便携式电子产品中，如智能手机、穿戴设备和消费类电子产品的内部控制电路。

BC847 NPN, 2N3904, MMBT3904, 2N2222A