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LDTA144GLT1G 发布时间 时间:2025/8/13 6:55:44 查看 阅读:22

LDTA144GLT1G 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该器件主要用于需要低噪声、高增益和高频应用的电路中,例如射频(RF)放大器、低噪声前置放大器和其他高性能模拟电路。该晶体管采用SOT-23封装,适用于表面贴装技术,具备良好的高频响应和可靠性。

参数

类型:NPN双极型晶体管
  封装类型:SOT-23
  最大集电极电流(Ic):100mA
  最大集电极-发射极电压(Vce):50V
  最大集电极-基极电压(Vcb):50V
  最大功耗(Pd):300mW
  最大工作温度:150°C
  增益(hFE):200至800(取决于工作电流)
  频率响应:最高可达250MHz
  噪声系数:低至0.5dB
  安装类型:表面贴装

特性

LDTA144GLT1G 具备多项高性能特性,适合用于高频和低噪声应用。
  首先,该晶体管具有低噪声系数,通常在0.5dB左右,这使其非常适合用于低噪声前置放大器、射频接收器和其他对噪声敏感的电路。
  其次,该器件具有较高的电流增益(hFE),在工作电流为2mA时,hFE可达到200至800之间,确保了良好的信号放大能力。
  此外,LDTA144GLT1G 的频率响应可达250MHz,使其能够在高频放大电路中稳定工作,满足射频和中频放大需求。
  该晶体管的最大集电极电流为100mA,最大集电极-发射极电压为50V,具备良好的电压和电流耐受能力,适用于多种中功率放大场合。
  其SOT-23封装结构小巧,便于在高密度PCB设计中使用,并且支持表面贴装工艺,提高了生产效率和焊接可靠性。
  最后,该晶体管的功耗较低,最大功耗为300mW,有助于提高电路的整体能效,适用于电池供电设备和便携式电子产品。

应用

LDTA144GLT1G 主要应用于需要低噪声、高增益和高频响应的电路设计中。
  在射频(RF)领域,该晶体管常用于射频前置放大器、接收器前端电路以及天线放大器,其低噪声系数和高频响应确保了信号的高质量放大。
  在通信设备中,LDTA144GLT1G 可用于无线基站、卫星通信模块和调制解调器中的信号放大环节,提供稳定可靠的增益性能。
  此外,该晶体管也广泛用于音频放大器中的前置级,特别是在高保真音响系统中,其低噪声和高线性度有助于提升音频质量。
  在测试测量仪器中,如频谱分析仪和信号发生器,LDTA144GLT1G 可用于关键的放大电路部分,确保测量结果的准确性和稳定性。
  由于其SOT-23封装的小巧体积和表面贴装特性,该晶体管也适用于便携式电子设备、无线传感器网络和物联网(IoT)设备中的信号调理电路。

替代型号

BC547B, 2N3904, BFQ54, PN2222A

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