类型：PNP型晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极-基极电压（VCBO）：50V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功率耗散（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　存储温度范围：-55°C至150°C
　　电流增益（hFE）：110-800（根据工作电流不同）
　　过渡频率（fT）：100MHz（最小值）

LDTA143XET1G具备多项优良特性，确保其在各种电子电路中的稳定表现。首先，其VCEO和VCBO均为50V，具备较高的电压承受能力，适用于多种中低功率放大和开关场景。其次，该晶体管的集电极电流为100mA，能够满足大多数信号处理和小型驱动电路的需求。
　　该器件的hFE（电流增益）范围广泛，从110到800不等，具体数值取决于集电极电流的大小。这一特性使其在不同应用场景下均能保持良好的放大性能。此外，LDTA143XET1G的工作频率可达100MHz以上，具备良好的高频响应能力，适用于需要较高频率特性的电路设计。
　　LDTA143XET1G采用SOT-23封装，体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用。其封装材料符合RoHS标准，适用于无铅焊接工艺。该晶体管具有良好的热稳定性，能够在-55°C至150°C的温度范围内稳定工作，适用于工业级和汽车电子应用。
　　该器件的可靠性较高，具备较长的使用寿命，并能在较为恶劣的环境条件下稳定运行。ON Semiconductor在该系列晶体管的设计和制造过程中采用了先进的工艺技术，确保了器件的一致性和高质量。

LDTA143XET1G广泛应用于各种电子设备和系统中，尤其适用于需要高性能晶体管的场合。常见的应用包括信号放大器、开关电路、逻辑电平转换、LED驱动、电源管理模块等。由于其良好的频率响应和电流增益特性，LDTA143XET1G常用于音频放大电路、射频（RF）前端电路和传感器接口电路中。
　　在工业自动化和控制系统中，LDTA143XET1G可用于驱动继电器、指示灯和小型电机等负载。在汽车电子系统中，它可用于车身控制模块、车载娱乐系统和传感器信号处理电路。此外，该晶体管也广泛应用于消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、智能手表和家用电器中，用于实现各种控制和信号处理功能。
　　由于其SOT-23封装的紧凑设计，LDTA143XET1G非常适合用于空间受限的便携式设备和高密度PCB设计。其低功耗和高稳定性也使其成为电池供电设备的理想选择。

BC807-25, 2N3906, MMBT3906, PN2907