LDTA123ELT1G 是一款由ON Semiconductor生产的双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该器件专为通用放大和开关应用设计,适用于多种电子电路中的信号处理和功率控制。LDTA123ELT1G采用SOT-23封装,体积小巧,便于在紧凑型电路板上使用。该晶体管具有较高的电流增益和良好的频率响应,使其在音频放大、逻辑电平转换、继电器或LED驱动等应用中表现出色。此外,该器件的高可靠性和稳定性使其在工业控制、消费电子和汽车电子中广泛应用。
晶体管类型:NPN
集电极-发射极电压(VCEO):300V
集电极-基极电压(VCBO):300V
发射极-基极电压(VEBO):5V
集电极电流(IC):100mA
功耗(PD):300mW
电流增益(hFE):110至800(根据档位不同)
频率响应(fT):100MHz
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:SOT-23
LDTA123ELT1G 具有出色的电气性能和广泛的适用性,其NPN结构使其在放大和开关电路中具有良好的线性度和响应速度。该晶体管的最大集电极-发射极电压和集电极-基极电压均为300V,允许其在较高电压环境下工作,适用于需要较高耐压的电路设计。发射极-基极电压为5V,确保了基极控制信号的安全范围。最大集电极电流为100mA,适用于中等功率的信号处理和驱动应用。该器件的电流增益(hFE)范围为110至800,根据不同的型号后缀分为多个档位,满足不同放大需求。频率响应(fT)为100MHz,表明该晶体管在高频电路中也能保持良好的性能,适用于射频信号处理或高速开关应用。
LDTA123ELT1G的功耗为300mW,SOT-23封装有助于散热,同时保持小型化设计。其工作温度范围为-55°C至150°C,使其在极端环境条件下仍能保持稳定运行,适用于工业级和汽车级应用。该晶体管符合RoHS标准,不含铅和有害物质,符合环保要求。LDTA123ELT1G还具有良好的稳定性和可靠性,在长期运行中表现出较低的失效率,适用于高要求的电子系统。
LDTA123ELT1G 主要用于通用放大和开关电路中,常见于音频放大器、信号放大器、逻辑电平转换器、继电器驱动电路、LED驱动电路以及各类传感器接口电路。在工业自动化系统中,它可用于控制小型继电器或指示灯,实现逻辑信号的转换和放大。在消费电子产品中,该晶体管可应用于音频前置放大器、遥控接收器信号处理等场景。此外,LDTA123ELT1G还可用于电源管理电路、马达驱动电路和电池充电控制电路等应用。由于其高耐压和中等电流能力,它也适用于低功率DC-DC转换器和电压调节电路。
BC847 NPN, 2N3904, MMBT3904, 2N4401, MMBT4401