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SIR638ADP-T1-RE3 发布时间 时间:2025/5/7 15:44:08 查看 阅读:5

SIR638ADP-T1-RE3 是一款基于沟槽技术的高性能 N 沟道逻辑 级 MOSFET,专为需要低导通电阻和高开关效率的应用而设计。该器件采用小型化封装,适合于空间受限的设计场景。其出色的电气性能使其在消费电子、通信设备及工业控制领域得到广泛应用。

参数

型号:SIR638ADP-T1-RE3
  类型:N 沟道 MOSFET
  VDS(漏源电压):40V
  RDS(on)(导通电阻):2.5mΩ(典型值,在 VGS=10V 时)
  最大 IDS(漏极电流):119A(脉冲),28A(连续)
  VGS(th)(栅极阈值电压):1.8V~3.6V
  总功耗:10W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-263 (DPAK)

特性

SIR638ADP-T1-RE3 提供了超低的导通电阻 RDS(on),从而减少了功率损耗并提升了整体效率。同时,它具有快速开关能力,适用于高频应用环境。
  该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,优化了芯片布局以降低寄生电感和电容,确保了良好的动态性能。
  此外,其耐热增强型封装提高了散热性能,能够在更高温度下稳定运行。这一特点使得 SIR638ADP-T1-RE3 成为 DC/DC 转换器、负载开关以及电机驱动等应用的理想选择。

应用

SIR638ADP-T1-RE3 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流
  2. DC/DC 转换器中的高端或低端开关
  3. 笔记本电脑和平板电脑的负载开关
  4. 工业自动化设备中的电机驱动电路
  5. 汽车电子系统中的电池管理与保护
  6. LED 驱动器和其他高效能转换应用

替代型号

SIR638ADP-T1-E3, IRF638DPBF, FDP177AN

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SIR638ADP-T1-RE3参数

  • 现有数量393现货
  • 价格1 : ¥14.31000剪切带(CT)3,000 : ¥6.54166卷带(TR)
  • 系列TrenchFET? Gen IV
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)100A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)0.88 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)165 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)+20V,-16V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)9100 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)104W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PowerPAK? SO-8
  • 封装/外壳PowerPAK? SO-8