时间：2025/5/7 15:44:08
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SIR638ADP-T1-RE3 是一款基于沟槽技术的高性能 N 沟道逻辑 级 MOSFET，专为需要低导通电阻和高开关效率的应用而设计。该器件采用小型化封装，适合于空间受限的设计场景。其出色的电气性能使其在消费电子、通信设备及工业控制领域得到广泛应用。
型号：SIR638ADP-T1-RE3
类型：N 沟道 MOSFET
VDS（漏源电压）：40V
RDS(on)（导通电阻）：2.5mΩ（典型值，在 VGS=10V 时）
最大 IDS（漏极电流）：119A（脉冲），28A（连续）
VGS(th)（栅极阈值电压）：1.8V～3.6V
总功耗：10W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-263 (DPAK)
SIR638ADP-T1-RE3 提供了超低的导通电阻 RDS(on)，从而减少了功率损耗并提升了整体效率。同时，它具有快速开关能力，适用于高频应用环境。
该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，优化了芯片布局以降低寄生电感和电容，确保了良好的动态性能。
此外，其耐热增强型封装提高了散热性能，能够在更高温度下稳定运行。这一特点使得 SIR638ADP-T1-RE3 成为 DC/DC 转换器、负载开关以及电机驱动等应用的理想选择。
SIR638ADP-T1-RE3 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流
2. DC/DC 转换器中的高端或低端开关
3. 笔记本电脑和平板电脑的负载开关
4. 工业自动化设备中的电机驱动电路
5. 汽车电子系统中的电池管理与保护
6. LED 驱动器和其他高效能转换应用
SIR638ADP-T1-E3, IRF638DPBF, FDP177AN
