晶体管类型：NPN BJT
　　集电极-发射极电压（Vce）：50V
　　集电极电流（Ic）：100mA
　　功率耗散（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOT-23
　　增益（hFE）：110（最小值）
　　过渡频率（fT）：100MHz

LDTA115GWT1G 晶体管具有多种优良特性，使其适用于多种电子电路设计。
　　首先，该晶体管的最大集电极-发射极电压为 50V，使其适用于中等电压应用。集电极最大电流为 100mA，这使其在中等电流开关和放大电路中表现良好。
　　其次，LDTA115GWT1G 采用 SOT-23 小型封装，适用于表面贴装技术（SMT），从而节省 PCB 空间，适合高密度电路设计。
　　此外，该晶体管的过渡频率（fT）为 100MHz，使其在高频放大器和开关电路中具有良好的响应性能。同时，其 hFE（电流增益）最小值为 110，确保了良好的放大能力。
　　最后，该晶体管的功率耗散为 300mW，可以在中等功率条件下稳定运行。工作温度范围从 -55°C 到 150°C，使其在工业和汽车应用中也能可靠运行。

LDTA115GWT1G 主要用于各种通用电子电路设计，包括开关电路、放大电路和缓冲电路。
　　在开关应用中，该晶体管可以用于控制 LED、继电器、小型电机等负载。由于其较高的开关速度和良好的电流驱动能力，LDTA115GWT1G 也常用于数字逻辑电路和电源管理电路。
　　在放大电路中，该晶体管适用于音频放大、信号调理和传感器接口电路。特别是在低噪声和高增益要求的场合，该晶体管能够提供良好的性能。
　　此外，LDTA115GWT1G 还常用于汽车电子系统、消费类电子产品和工业控制系统。由于其宽工作温度范围，它非常适合在严苛环境中使用。

BC847 NPN, 2N3904, MMBT3904, PN2222A