时间：2025/8/13 20:06:47
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LDTA115GET1G是一款由ON Semiconductor生产的NPN型双极结型晶体管（BJT），主要用于通用开关和放大应用。这款晶体管采用了先进的制造工艺，具有较高的可靠性和稳定性，广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子等领域。
晶体管类型：NPN BJT
最大集电极-发射极电压（VCEO）：50V
最大集电极电流（IC）：100mA
最大功耗（PD）：300mW
直流电流增益（hFE）：110-800（根据等级不同）
过渡频率（fT）：100MHz
工作温度范围：-55°C至150°C
LDTA115GET1G晶体管具有优异的电气性能和稳定性。其高电流增益（hFE）范围为110至800，使得该器件适用于多种放大和开关应用。该晶体管的过渡频率（fT）为100MHz，表明它在高频条件下仍能保持良好的性能。此外，LDTA115GET1G的最大集电极-发射极电压为50V，能够承受较高的电压应力，增强了器件的可靠性。
在封装方面，LDTA115GET1G采用SOT-23封装，这种小型封装不仅节省空间，而且便于在高密度PCB设计中使用。其最大功耗为300mW，能够在较宽的温度范围内（-55°C至150°C）正常工作，适合各种严苛的应用环境。
LDTA115GET1G还具有良好的热稳定性和较低的饱和压降（VCE(sat)），这使得在开关应用中能够减少功耗并提高效率。该器件的制造符合RoHS环保标准，确保了其在现代电子设备中的环保适用性。
LDTA115GET1G晶体管广泛应用于各种电子电路中，特别是在需要中等功率放大和开关控制的场合。常见的应用包括数字逻辑电路、电源管理电路、传感器接口电路、音频放大器以及汽车电子系统中的控制模块。此外，该晶体管也常用于工业自动化设备和消费类电子产品中的信号处理和驱动电路。
BC547, 2N3904, PN2222A
