晶体管类型：NPN
　　最大集电极-发射极电压（Vceo）：50V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大功耗（Ptot）：300mW
　　最大工作频率（fT）：250MHz
　　电流增益带宽积（fT）：250MHz
　　电流增益（hFE）：在Ic=2mA时为110至800（具体数值取决于等级）
　　封装类型：SOT-23

LDTA114ELT1G晶体管具有出色的高频性能，能够在高达250MHz的频率下稳定工作，这使其非常适合用于射频和中间频率放大器的设计。其NPN结构提供了良好的电流放大能力，并且在低噪声条件下仍能保持高增益特性，这在信号接收和放大应用中尤为重要。
　　该晶体管的最大集电极-发射极电压为50V，允许其在较高的电压环境下工作，同时最大集电极电流为100mA，足以满足中等功率的放大需求。其SOT-23封装形式不仅节省空间，而且便于自动化生产，提高了制造效率。
　　由于其良好的电流增益（hFE）范围（110至800），用户可以根据具体应用选择不同等级的器件，以实现最佳性能匹配。这一特性使得LDTA114ELT1G在音频放大、开关电路和通用放大器设计中具有广泛的适用性。
　　此外，该晶体管具有较低的噪声系数，适合用于前置放大器和信号接收电路，能够在不显著增加噪声的情况下提升微弱信号的强度。其高频响应和快速开关能力也使其成为脉冲和数字电路中的理想选择。

LDTA114ELT1G晶体管常用于射频（RF）放大器、中间频率（IF）放大器、无线通信设备、音频前置放大器以及高速开关电路。由于其良好的高频特性和低噪声表现，它被广泛应用于无线基站、手持通信设备、卫星通信系统、测试与测量仪器等高性能电子设备中。
　　在消费电子领域，该晶体管可用于音频放大器的前置级，以提高信号的清晰度和动态范围。它也适用于电源管理电路中的开关控制部分，特别是在需要高频操作的DC-DC转换器中。此外，LDTA114ELT1G还可用于传感器信号调理电路，作为信号放大的关键组件，以确保微弱信号能够被后续电路有效处理。

BCX70K、BFQ19S、2N3904