LDTA113ZET1G 是安森美半导体(ON Semiconductor)推出的一款双极型晶体管(BJT),属于PNP型晶体管。该器件采用SOT-23封装,适用于通用放大和开关应用。LDTA113ZET1G 是一款低成本、高性能的晶体管,广泛用于消费类电子产品、工业控制、电源管理和汽车电子等领域。该晶体管具有良好的稳定性和可靠性,能够在较宽的温度范围内正常工作。
类型:PNP双极型晶体管
集电极-发射极电压(VCEO):50V
集电极-基极电压(VCBO):50V
发射极-基极电压(VEBO):5V
集电极电流(IC):100mA
功耗(PD):300mW
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:SOT-23
LDTA113ZET1G 是一款高性能的PNP型双极晶体管,具有出色的稳定性和高频响应能力。该器件的最大集电极电流为100mA,适用于中低功率的开关和放大电路设计。晶体管的集电极-发射极电压和集电极-基极电压均为50V,提供了良好的电压耐受能力,适用于多种电路环境。
该晶体管采用SOT-23封装,体积小巧,便于在PCB上布局,适用于高密度组装。其封装形式也使其具有良好的热性能,确保在高负载下依然稳定运行。此外,LDTA113ZET1G 的功耗为300mW,在运行过程中发热较低,适合长时间工作。
这款晶体管具备优良的温度适应性,工作温度范围从-55°C到150°C,适用于工业和汽车等严苛环境。它在高频应用中表现良好,适合用于音频放大器、电源管理电路以及数字开关电路。LDTA113ZET1G 以其高可靠性和经济性,成为许多通用电子设计中的优选晶体管。
LDTA113ZET1G 主要用于需要中低功率处理的电路中,例如音频放大器的前置放大级、信号调节电路、逻辑电平转换以及数字开关控制。此外,它也广泛应用于消费电子产品如智能手机、平板电脑、智能家电和便携式设备中,作为信号放大或电源管理的元件。
在工业自动化和控制系统中,该晶体管可用于传感器信号放大、继电器驱动和逻辑控制电路。由于其良好的温度稳定性,LDTA113ZET1G 也适用于汽车电子系统,如车载娱乐系统、仪表盘控制模块和车载充电器。
此外,LDTA113ZET1G 可作为低功耗开关使用,适用于电池供电设备的节能电路设计。其高频特性也使其在射频前端电路和低噪声放大器中具有一定应用价值。
BC807-25, PN2907A, 2N3906