时间：2025/8/13 7:55:15
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LDN3402T1G是一款由ON Semiconductor生产的P沟道增强型MOSFET，适用于负载开关、电源管理和电池供电设备等多种应用。这款MOSFET采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高效率的特点，能够有效降低功率损耗并提高系统稳定性。其SOT-23封装形式使其非常适合在空间受限的设计中使用。
类型：P沟道MOSFET
漏极电流（ID）：最大-400mA
漏源电压（VDS）：最大-20V
栅源电压（VGS）：最大±12V
导通电阻（RDS(on)）：最大0.85Ω（在VGS = -4.5V时）
工作温度范围：-55°C至+150°C
LDN3402T1G具有低导通电阻的特性，这使得它在导通状态下能够提供更低的电压降和更小的功率损耗，从而提高整体效率。该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持从-1.8V至-12V的栅极电压操作，提高了设计的灵活性。
此外，LDN3402T1G具备良好的热稳定性和高可靠性，能够在较宽的温度范围内保持稳定的性能。其SOT-23封装形式不仅节省空间，而且便于在PCB上的安装和布局。
该MOSFET还具有快速开关特性，能够减少开关过程中的能量损耗，适用于高频开关应用。同时，其P沟道结构使其在低电压应用中具备良好的导通性能，适合用于电池供电系统的电源管理。
LDN3402T1G广泛应用于便携式电子设备中的负载开关和电源管理系统。例如，在智能手机、平板电脑和笔记本电脑中，它可以作为电池供电电路中的开关元件，实现对不同负载的高效控制。
在工业控制系统中，该MOSFET可用于DC-DC转换器和电压调节模块，提供高效的电源转换和管理功能。此外，它也适用于各种低电压电源管理应用，如USB电源开关和电池充电管理电路。
由于其高可靠性和宽工作温度范围，LDN3402T1G也适用于汽车电子系统中的电源管理模块，确保在恶劣环境下的稳定运行。
SI2301DS, FDN340P
