时间：2025/5/10 10:01:03
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LDM182G5010YC025是一款高性能的MOSFET功率晶体管，适用于高效率电源转换和电机驱动应用。该器件采用先进的沟槽式工艺制造，具备低导通电阻和快速开关特性，能够有效降低功耗并提高系统性能。
该型号属于N沟道增强型MOSFET系列，广泛用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及负载开关等场景。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：34A
导通电阻：1.6mΩ
栅极电荷：97nC
总电容：1800pF
工作温度范围：-55℃至175℃
LDM182G5010YC025具有极低的导通电阻，可以显著减少传导损耗，从而提高整体能效。此外，其快速开关特性使得动态损耗得以降低，非常适合高频应用。
器件采用D2PAK封装形式，具备良好的散热性能，可满足大功率应用的需求。同时，其高雪崩能量能力增强了在异常工作条件下的可靠性。
此外，LDM182G5010YC025支持宽范围的工作温度，能够在极端环境下保持稳定运行，适用于工业及汽车级应用场景。
该器件主要应用于高效能开关模式电源(SMPS)设计，包括AC-DC适配器、服务器电源以及通信电源等。
另外，在电机控制领域，它可以用作H桥或半桥驱动中的关键元件，提供精准且高效的功率传输。
LDM182G5010YC025还常见于电动汽车的电池管理系统(BMS)和电动工具中，以实现对电流的精确控制。
LDM182G4010YC025, LDM182G5015YC025
