LDAN222T1G 是一款由 ON Semiconductor 提供的 N 沟道增强型 MOSFET 功率晶体管,采用 TO-263 封装。该器件适用于高效率功率转换和开关应用,广泛用于电源、电机驱动、负载切换以及电池管理等领域。
其出色的 Rds(on) 特性和较低的栅极电荷使其成为高频开关应用的理想选择。同时,它具备较高的电流处理能力和耐压能力,确保在苛刻的工作条件下依然稳定运行。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:47A
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ
栅极电荷:28nC
工作结温范围:-55℃ 至 175℃
封装类型:TO-263
LDAN222T1G 具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够显著降低传导损耗,提升系统效率。
2. 高额定电流能力 (47A),适合大功率应用。
3. 优化的栅极电荷设计,支持高频开关操作。
4. 宽泛的工作温度范围 (-55℃ 至 175℃),适应各种环境条件。
5. 稳定的电气性能和可靠性,适用于严苛工业及汽车环境。
6. 符合 RoHS 标准,满足环保要求。
LDAN222T1G 的典型应用包括:
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 工业和消费类电机驱动器。
3. 大功率负载切换电路。
4. 电池保护与管理系统。
5. 逆变器和 UPS 系统中的功率级开关。
6. 汽车电子控制单元 (ECU) 和电动助力转向系统 (EPS) 中的功率开关。
IRFZ44N
STP55NF06L
FDP55N06L