LDAN222T1G 时间：2025/4/30 20:31:58 阅读：20

LDAN222T1G 是一款由 ON Semiconductor 提供的 N 沟道增强型 MOSFET 功率晶体管，采用 TO-263 封装。该器件适用于高效率功率转换和开关应用，广泛用于电源、电机驱动、负载切换以及电池管理等领域。
　　其出色的 Rds(on) 特性和较低的栅极电荷使其成为高频开关应用的理想选择。同时，它具备较高的电流处理能力和耐压能力，确保在苛刻的工作条件下依然稳定运行。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：47A
　　导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ
　　栅极电荷：28nC
　　工作结温范围：-55℃ 至 175℃
　　封装类型：TO-263

特性

LDAN222T1G 具有以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够显著降低传导损耗，提升系统效率。
　　2. 高额定电流能力 (47A)，适合大功率应用。
　　3. 优化的栅极电荷设计，支持高频开关操作。
　　4. 宽泛的工作温度范围 (-55℃ 至 175℃)，适应各种环境条件。
　　5. 稳定的电气性能和可靠性，适用于严苛工业及汽车环境。
　　6. 符合 RoHS 标准，满足环保要求。

应用

LDAN222T1G 的典型应用包括：
　　1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
　　2. 工业和消费类电机驱动器。
　　3. 大功率负载切换电路。
　　4. 电池保护与管理系统。
　　5. 逆变器和 UPS 系统中的功率级开关。
　　6. 汽车电子控制单元 (ECU) 和电动助力转向系统 (EPS) 中的功率开关。