LDAN202UT1G 时间：2025/8/14 0:32:35 阅读：30

LDAN202UT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极型晶体管（BJT），属于 NPN 类型的晶体管。该器件适用于广泛的模拟和数字电路应用，例如信号放大、开关电路、功率管理等。LDAN202UT1G 采用小型 SOT-23（TO-236）封装，适用于表面贴装技术（SMT），适合在空间受限的设计中使用。

参数

类型：NPN 双极型晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30V
　　最大功耗（Ptot）：300mW
　　电流增益（hFE）：110 - 800（根据档位不同）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23（TO-236）

特性

LDAN202UT1G 晶体管具有出色的电气性能和稳定性，适用于通用放大和开关应用。其最大集电极电流为 100mA，可以满足低功率电路设计的需求，同时其集电极-发射极电压和集电极-基极电压均为 30V，使其能够适应较高的电压环境。
　　该器件的 hFE（电流增益）范围为 110 到 800，根据不同的分档提供不同的增益性能，确保在不同应用场景中都能实现高效的信号放大。此外，LDAN202UT1G 的最大功耗为 300mW，这使其在高密度 PCB 设计中具备良好的热稳定性。
　　采用 SOT-23 封装，LDAN202UT1G 占用空间小，适用于表面贴装工艺，提高了 PCB 布局的灵活性，并降低了生产成本。其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适用于各种工业环境下的稳定运行。
　　LDAN202UT1G 的制造工艺符合 RoHS 标准，具备环保特性，适用于需要符合国际环保规范的设计项目。