型号：LD27C080-10
　　存储容量：8 Mbit (1024 K × 8)
　　组织结构：1 M × 8 位
　　工艺技术：CMOS
　　供电电压：+5V ± 10%
　　访问时间：100 ns
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C（商业级）
　　封装形式：40引脚 DIP（双列直插式）或 PLCC（塑料引线芯片载体）
　　编程电压：VPP = +12.5V 或 +21V（取决于具体编程模式）
　　待机电流：典型值 100 μA
　　工作电流：典型值 45 mA（f = 1 MHz）
　　擦除方式：紫外线照射（波长253.7 nm，能量≥15 W·sec/cm2）
　　数据保持时间：典型值 > 10 年

LD27C080-10 具备典型的高性能CMOS EPROM特性，适用于需要可靠、非易失性程序存储的系统。其100ns的快速访问时间使其能够与多种高速微处理器直接接口，无需插入等待状态，从而提升系统整体性能。该芯片采用低功耗CMOS技术，在待机模式下仅消耗约100μA电流，显著优于早期NMOS工艺的EPROM器件，适合对功耗有一定要求的应用环境。器件支持标准+5V电源供电，兼容TTL电平输入输出，便于集成到现有数字系统中。编程时需施加较高的VPP电压（通常为+12.5V或+21V），以确保数据能可靠写入存储单元。内部设有编程算法控制逻辑，可在编程失败时自动重试或终止操作，提高编程成功率。芯片顶部设有石英窗口，允许用户在需要更新程序时使用紫外线灯进行彻底擦除，理论上可支持数百次的擦写周期。此外，该器件具备良好的抗干扰能力和温度稳定性，在0°C至+70°C范围内能稳定工作，满足大多数商业应用需求。所有引脚均符合JEDEC标准，确保与其他系统组件的互操作性。为了防止误写入，LD27C080-10还集成了片选（CE）和输出使能（OE）控制信号，只有在正确时序下才能输出数据，增强了系统的可靠性。尽管该器件不具备字节级擦除功能（必须整片擦除），但在其设计时代是主流且可靠的解决方案。
　　值得一提的是，随着电子技术的发展，LD27C080-10已被更先进的并行和串行闪存所取代，但在某些特定场合如老旧设备维修、军事或航天遗留系统维护中仍具不可替代性。其物理可观察的石英窗口也常被用于教学演示，帮助学生理解EPROM的工作原理。此外，该芯片对静电敏感，使用时需遵循防静电操作规范，避免损坏内部电路。整体而言，LD27C080-10是一款成熟、稳定、易于使用的EPROM器件，代表了上世纪90年代中后期非易失性存储技术的重要成果。

LD27C080-10 主要应用于需要长期保存程序代码且不频繁更改的嵌入式系统中。常见用途包括工业控制器中的固件存储，例如PLC（可编程逻辑控制器）、数控机床和自动化设备，这些系统通常在出厂后很少升级程序，因此非常适合使用EPROM作为程序载体。在通信设备领域，该芯片曾被用于程控交换机、调制解调器和网络接口卡中，用于存放启动代码和配置信息。在消费类电子产品中，如老式打印机、复印机和家用电器的控制板上也能找到它的身影。此外，LD27C080-10 还广泛应用于各种开发系统和教学实验平台，作为微处理器或微控制器系统的外部程序存储器，配合8051、68K、Z80等经典CPU使用。由于其并行接口结构，数据传输速率较高，适合需要快速加载程序的场景。在军事和航空航天领域，部分遗留系统仍依赖此类经过长期验证的元器件，因其可靠性高且技术文档齐全。另外，在维修和替换市场中，当原设备使用的EPROM损坏时，LD27C080-10 常被用作直接替换件。虽然现代设计更多采用串行SPI Flash或嵌入式Flash MCU，但在无法重新设计硬件的老化设备中，该芯片仍然是维持系统运行的关键组件。其紫外线擦除特性也使其成为实验室环境中反复测试和验证程序的理想选择，尤其是在无在线编程能力的系统中。

M27C801-10B1
　　MBM27C8001-10
　　AM27C800