您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GA1206A680JBEBR31G

GA1206A680JBEBR31G 发布时间 时间:2025/5/28 10:05:53 查看 阅读:9

GA1206A680JBEBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等场景。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高效率的特点,能够显著降低能耗并提升系统的整体性能。
  此器件为 N 沟道增强型 MOSFET,适合高频应用场合,同时具备快速开关速度和较低的栅极电荷,从而优化了动态性能。

参数

型号:GA1206A680JBEBR31G
  类型:N沟道增强型MOSFET
  额定电压(Vds):60V
  额定电流(Id):70A
  导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ
  栅极电荷(Qg):45nC
  总栅极电荷(Qg,total):60nC
  输入电容(Ciss):1200pF
  输出电容(Coss):95pF
  反向传输电容(Crss):15pF
  工作温度范围:-55℃ to +175℃
  封装形式:TO-247

特性

GA1206A680JBEBR31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 仅为 2.5mΩ,可显著减少传导损耗,提高系统效率。
  2. 快速的开关速度,得益于其较低的栅极电荷值 (Qg = 45nC),特别适用于高频应用。
  3. 高额定电流 Id 达到 70A,支持大功率负载需求。
  4. 宽泛的工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃),确保在极端环境下的可靠运行。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代电子设备中。
  6. 封装为 TO-247,散热性能优越,适合高功率密度设计。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和适配器。
  2. DC-DC 转换器,如降压或升压电路。
  3. 电机驱动和控制,特别是电动汽车和工业自动化中的大功率电机。
  4. 充电器模块,用于笔记本电脑、手机以及其他便携式设备。
  5. 太阳能逆变器和其他能源管理系统。
  6. 高效照明驱动器,例如 LED 照明。

替代型号

GA1206A680JBE, IRF840, FDP150N10SBD

GA1206A680JBEBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 电容68 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-