GA1206A680JBEBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等场景。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高效率的特点,能够显著降低能耗并提升系统的整体性能。
此器件为 N 沟道增强型 MOSFET,适合高频应用场合,同时具备快速开关速度和较低的栅极电荷,从而优化了动态性能。
型号:GA1206A680JBEBR31G
类型:N沟道增强型MOSFET
额定电压(Vds):60V
额定电流(Id):70A
导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ
栅极电荷(Qg):45nC
总栅极电荷(Qg,total):60nC
输入电容(Ciss):1200pF
输出电容(Coss):95pF
反向传输电容(Crss):15pF
工作温度范围:-55℃ to +175℃
封装形式:TO-247
GA1206A680JBEBR31G 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 仅为 2.5mΩ,可显著减少传导损耗,提高系统效率。
2. 快速的开关速度,得益于其较低的栅极电荷值 (Qg = 45nC),特别适用于高频应用。
3. 高额定电流 Id 达到 70A,支持大功率负载需求。
4. 宽泛的工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃),确保在极端环境下的可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代电子设备中。
6. 封装为 TO-247,散热性能优越,适合高功率密度设计。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和适配器。
2. DC-DC 转换器,如降压或升压电路。
3. 电机驱动和控制,特别是电动汽车和工业自动化中的大功率电机。
4. 充电器模块,用于笔记本电脑、手机以及其他便携式设备。
5. 太阳能逆变器和其他能源管理系统。
6. 高效照明驱动器,例如 LED 照明。
GA1206A680JBE, IRF840, FDP150N10SBD