时间：2025/6/20 22:39:35
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LD025A1R0BAB4A 是一款由 ROHM 生产的低饱和电压 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 TO-263-3 封装，具有出色的开关特性和导通特性，适用于各种高效能电源管理和电机驱动应用。
这款 MOSFET 的主要特点是其极低的导通电阻（Rds(on)），这使得它在高电流应用场景中能够保持较低的功耗和发热，从而提升整体系统的效率和可靠性。
最大额定电压：30V
最大额定电流：98A
导通电阻（Rds(on)）：1.0mΩ（典型值，Vgs=10V 时）
栅极电荷：175nC
输入电容：4390pF
总功耗：180W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
LD025A1R0BAB4A 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少导通损耗，特别适合用于大电流场景。
2. 高雪崩耐量能力，增强器件在异常条件下的耐用性。
3. 超低 Qg 和 Crss，可优化开关性能，降低开关损耗。
4. 紧凑的 TO-263-3 封装设计，方便安装并提供良好的散热性能。
5. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
这些特性使该 MOSFET 成为工业级电机驱动、DC/DC 转换器、负载开关以及电池保护电路的理想选择。
LD025A1R0BAB4A 广泛应用于以下领域：
1. 工业设备中的高效电机控制和驱动。
2. 汽车电子系统中的负载切换和保护功能。
3. 通信电源和服务器电源模块中的 DC/DC 转换。
4. 大功率 LED 驱动器中的开关元件。
5. 各类电池管理系统（BMS），包括电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）。
其强大的电流承载能力和低导通损耗使其成为许多高性能电力电子应用的核心组件。
LD025A1R0BAB4A, IRF3205, FDP065N06L, Si7137DP
