LD025A150JAB2A 是一款基于 gallium nitride (GaN) 技术的高效能功率转换芯片,专为需要高效率和高功率密度的应用设计。该器件采用了先进的 GaN 场效应晶体管技术,提供低导通电阻和快速开关性能,从而显著降低开关损耗和传导损耗。此外,LD025A150JAB2A 集成了多种保护功能,包括过流保护、过温保护和短路保护,以确保系统在各种工作条件下的稳定性和可靠性。
这款芯片适合用作 DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器、充电器以及电动工具等应用中的核心功率元件。
型号:LD025A150JAB2A
类型:GaN 功率晶体管
Vds(漏源电压):600 V
Rds(on)(导通电阻):150 mΩ
Id(持续漏电流):25 A
栅极电荷:90 nC
输入电容:1800 pF
输出电容:30 pF
反向恢复时间:无
封装形式:TO-247-3
工作温度范围:-40℃ 至 +150℃
LD025A150JAB2A 的主要特性包括:
1. 高效的 GaN 技术,提供低 Rds(on),降低传导损耗。
2. 快速开关速度,支持高频操作,减少磁性元件体积,提高功率密度。
3. 内置多重保护功能,提升系统的可靠性和安全性。
4. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
5. 封装采用 TO-247-3,具备良好的散热性能 支持宽范围的工作温度,适用于恶劣环境下的应用需求。
LD025A150JAB2A 广泛应用于以下领域:
1. 工业设备中的高效率 DC-DC 转换器。
2. 消费电子领域的 AC-DC 电源适配器和快充充电器。
3. 电动工具及便携式电器的驱动电路。
4. 新能源汽车充电桩中的功率模块。
5. 太阳能逆变器以及其他需要高性能功率转换的应用场景。
LD025A150JAB3A, LD025A150JBB2A