时间：2025/8/2 9:45:26
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DMT10H009LSS-13 是一款由 Diodes 公司生产的 P 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和负载开关等电路中。该器件采用 10-TSSOP（薄型小尺寸封装），具有较低的导通电阻和良好的热稳定性，适合用于需要高效能和紧凑设计的电子产品。该 MOSFET 的最大漏源电压为 -20V，最大连续漏极电流为 -10A，适用于多种中等功率应用。
类型：P 沟道 MOSFET
最大漏源电压 (VDS)：-20V
最大栅源电压 (VGS)：±12V
最大连续漏极电流 (ID)：-10A
导通电阻 (RDS(on))：最大 9mΩ（在 VGS = -4.5V 时）
栅极电荷 (Qg)：16nC（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：10-TSSOP
DMT10H009LSS-13 是一款高性能 P 沟道 MOSFET，其主要特性包括低导通电阻、高电流容量和优异的热性能。该器件在 VGS = -4.5V 时的导通电阻仅为 9mΩ，能够显著降低功率损耗，提高系统效率。其 10A 的最大连续漏极电流使其适用于中等功率的负载开关和电源管理应用。此外，该 MOSFET 具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，确保系统的可靠性。
该器件的栅极电荷较低（Qg = 16nC），有助于减少开关损耗，提高开关速度，适用于高频开关电路。TSSOP 封装提供了较小的占板面积，非常适合用于空间受限的设计。DMT10H009LSS-13 还具有良好的 ESD 抗扰能力，能够在一定程度上抵御静电放电的损害，提高器件的耐用性和稳定性。
此外，该 MOSFET 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适用于广泛的工业和消费类电子产品。其栅源电压范围为 ±12V，允许使用标准的 5V 或 12V 栅极驱动器进行控制，兼容性强。
DMT10H009LSS-13 主要应用于电源管理系统、负载开关、DC-DC 转换器、电池供电设备、工业控制和便携式电子产品等领域。其低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于电源路径管理，例如在笔记本电脑、平板电脑和智能手机中作为电源开关使用。此外，该器件也可用于电机驱动、LED 驱动和电池充电管理电路中。
在电源管理方面，DMT10H009LSS-13 可作为高边开关使用，用于控制电源的通断，避免系统在待机状态下产生不必要的功耗。在负载开关应用中，它可以实现快速的电源切换，提升系统的响应速度和效率。由于其良好的热性能，该 MOSFET 在高温环境下也能保持稳定工作，适用于工业自动化设备和汽车电子系统。
Si7153DP-T1-GE3, FDC640P, DMT2015LSS-13
