类型：NPN晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　集电极-基极电压（VCBO）：50V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　最大集电极电流（IC）：150mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　电流增益（hFE）：110-800（取决于测试条件）
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　封装类型：TO-92

61SS2E晶体管具有多项优异的电气特性，使其适用于多种电子电路设计。
　　首先，该晶体管的最大集电极-发射极电压（VCEO）为30V，集电极-基极电压（VCBO）为50V，这使其能够在中等电压环境中稳定工作。此外，发射极-基极电压（VEBO）为5V，确保了在常见驱动条件下不会发生击穿现象。
　　其次，61SS2E的最大集电极电流为150mA，能够满足中功率放大和开关应用的需求。其最大功耗为300mW，结合良好的散热设计，可以在较高负载下保持稳定运行。
　　该晶体管的电流增益（hFE）范围较广，从110到800不等，具体数值取决于测试条件。这一特性使其适用于不同增益需求的电路设计，如前置放大器和功率放大器等。
　　此外，61SS2E具有较高的过渡频率（fT）为100MHz，适合用于高频放大电路，如射频（RF）放大器和振荡器。
　　最后，该晶体管采用TO-92封装形式，具有良好的机械稳定性和热管理能力，适合在各种电子设备中使用。

61SS2E晶体管广泛应用于多个电子领域。首先，在音频放大电路中，61SS2E可用于前置放大器或功率放大器，提供良好的信号放大性能。
　　其次，由于其较高的过渡频率（fT）为100MHz，该晶体管常用于射频（RF）放大器、振荡器和混频器，适用于无线通信设备和射频模块。
　　此外，61SS2E还可用于开关电路，如继电器驱动电路和LED驱动电路，提供快速的开关响应和稳定的电流控制。
　　在工业控制和自动化设备中，该晶体管也常用于传感器信号放大、逻辑电平转换和数字控制电路。
　　由于其封装小巧且性能稳定，61SS2E也广泛应用于消费类电子产品，如收音机、音响设备和小型电子玩具等。

2N3904, BC547, PN2222