类型：功率MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：75A
　　最大漏-源电压（Vds）：30V
　　导通电阻（Rds(on)）：约4.2mΩ（典型值，具体取决于测试条件）
　　栅极电压（Vgs）：±20V
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-263（D2Pak）或类似表面贴装封装
　　最大功耗（Pd）：约200W（取决于散热条件）

LCS75P03具有多个关键特性，使其适用于各种高功率电子系统。首先，其极低的导通电阻有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。这对于需要长时间运行的电源系统来说尤为重要。其次，该器件采用了先进的沟槽式结构设计，优化了电流密度，从而提升了性能和可靠性。此外，LCS75P03具备较高的电流承载能力和优异的热管理性能，能够在高温环境下稳定运行，适用于高负载条件下的应用。其高栅极电压容限（±20V）也使其在驱动电路设计上更加灵活。LCS75P03的封装设计（如TO-263）便于散热，并支持表面贴装工艺，适合现代自动化制造流程。最后，该器件具有良好的短路耐受能力，增强了其在严苛工作环境中的稳定性。
　　在可靠性方面，LCS75P03通过了AEC-Q101等汽车行业标准认证，适用于车载电子系统。其结构设计和制造工艺确保在极端温度和电压条件下仍能保持稳定性能，是工业电源、电机驱动和电池管理系统等关键应用的理想选择。

LCS75P03广泛应用于各种高功率电子产品中，包括DC-DC转换器、电机控制器、电池管理系统（BMS）、电动车（EV）充电系统、光伏逆变器以及工业自动化设备中的电源模块。此外，它也适用于需要高效能功率开关的汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统和电池保护电路。

SiZ750DG-T1-GE3, IPP75P03S4-07, IPW75P03S4-17, FDP75N30TM