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LCMXO3L-640E-5MG121I 发布时间 时间:2025/8/10 9:21:19 查看 阅读:19

LCMXO3L-640E-5MG121I 是 Lattice Semiconductor(莱迪思半导体)推出的一款 MachXO3L 系列的非易失性可编程逻辑器件(CPLD)。该器件基于 65nm 低功耗闪存技术制造,适用于需要高集成度、低功耗和即时启动功能的系统控制和接口逻辑应用。LCMXO3L-640E-5MG121I 采用 121 引脚 TQFP 封装,属于工业级温度范围(-40°C 至 +85°C),适用于工业自动化、通信设备、消费类电子产品以及汽车电子等领域。

参数

型号: LCMXO3L-640E-5MG121I
  制造商: Lattice Semiconductor
  系列: MachXO3L
  类型: CPLD(复杂可编程逻辑器件)
  逻辑单元数量: 640 LUT4
  嵌入式存储器容量: 128 kbits
  最大用户 I/O 引脚数: 84
  工作电压: 1.14V 至 3.46V
  封装类型: 121-TQFP
  温度范围: 工业级(-40°C 至 +85°C)
  速度等级: -5(对应最快频率约为 300 MHz)
  非易失性存储器: 有(Flash 技术)
  安全特性: 支持加密和锁定功能

特性

LCMXO3L-640E-5MG121I 具备多项先进特性,使其在多种应用中表现出色。
  首先,该器件基于 65nm 低功耗闪存技术,具备非易失性存储器,无需外部配置芯片即可上电即用,显著降低了系统启动时间和功耗。其电源电压范围为 1.14V 至 3.46V,支持多电压接口能力,能够与各种不同电压标准的器件兼容,适用于复杂系统中的电平转换、桥接和控制功能。
  其次,LCMXO3L-640E-5MG121I 提供多达 84 个用户可配置 I/O 引脚,支持多种 I/O 标准,如 LVCMOS、LVTTL、SSTL、HSTL、LVDS 等,适用于高速通信接口设计。其最大系统频率可达 300 MHz,适合对性能有一定要求的控制逻辑应用。

应用

LCMXO3L-640E-5MG121I 广泛应用于需要高集成度、低功耗和灵活控制逻辑的嵌入式系统中。

替代型号

LCMXO3L-6900C-5MG121I, LCMXO3L-4300C-5MG121I, LCMXO3-640E-5MG121I

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LCMXO3L-640E-5MG121I参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格490 : ¥37.20555托盘
  • 系列MachXO3
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • Digi-Key ProgrammableNot Verified
  • LAB/CLB 数80
  • 逻辑元件/单元数640
  • 总 RAM 位数65536
  • I/O 数100
  • 栅极数-
  • 电压 - 供电1.14V ~ 1.26V
  • 安装类型表面贴装型
  • 工作温度-40°C ~ 100°C(TJ)
  • 封装/外壳121-VFBGA,CSPBGA
  • 供应商器件封装121-CSFBGA(6x6)