时间：2025/9/6 2:10:02
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LCC37N03A 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用先进的沟槽技术，提供了卓越的性能和可靠性。LCC37N03A 通常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及电机控制等应用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏极电流（ID）：37A
漏极-源极电压（VDS）：30V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为 6.5mΩ（在 VGS=10V）
功率耗散（PD）：140W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-220AB
LCC37N03A 的核心优势在于其极低的导通电阻（RDS(on)），这使得在高电流应用中能够显著降低功率损耗并提高效率。
该器件采用先进的沟槽 MOSFET 技术，提供了卓越的热稳定性和开关性能，适用于高频操作环境。
此外，LCC37N03A 具有高雪崩能量耐受能力，能够在极端条件下保持稳定运行，增强了系统的可靠性和耐用性。
其封装形式为 TO-220AB，便于安装和散热管理，适用于各种工业和汽车电子应用。
由于其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +175°C），LCC37N03A 可在恶劣环境中保持稳定的电气性能。
LCC37N03A 主要用于高性能电源管理系统，如 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统。
它也适用于电机控制、工业自动化设备、电动工具以及汽车电子系统中的功率控制模块。
该器件的高电流能力和低导通电阻特性使其成为高效能、高可靠性应用的理想选择。
IRF3710, FDP3710, STP37N03LH5
