LC89901V-TE-R 时间：2025/9/21 9:41:11 阅读：13

LC89901V-TE-R是由ON Semiconductor（安森美）生产的一款用于无线充电应用的驱动器控制IC。该芯片专为驱动无线充电发射端的全桥或半桥拓扑结构中的MOSFET而设计，适用于符合Qi标准的无线充电器系统。LC89901V-TE-R具备高集成度和智能化控制功能，能够有效提升无线充电系统的效率、稳定性和安全性。该器件采用小型化封装，适合空间受限的便携式设备充电底座设计。其内部集成了振荡器、逻辑控制单元、门极驱动电路以及多种保护机制，可简化外部电路设计并降低整体系统成本。此外，LC89901V-TE-R支持数字接口通信，可通过I2C或其他串行接口与主控MCU进行数据交互，实现对工作频率、输出功率、异物检测（FOD）等关键参数的精确调控。由于其高度集成的特性，该芯片广泛应用于智能手机、可穿戴设备和其他消费类电子产品的无线充电发射器中。

参数

型号：LC89901V-TE-R
　　制造商：ON Semiconductor
　　工作电压范围：4.5V ~ 18V
　　最大输出电流：500mA（峰值）
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　封装类型：QFN-20
　　通信接口：I2C/SPI兼容
　　开关频率范围：100kHz ~ 500kHz
　　驱动方式：全桥/半桥可配置
　　内置振荡器：支持频率调制
　　保护功能：过温保护、过流保护、欠压锁定（UVLO）
　　静态电流：典型值50μA
　　输出上升/下降时间：典型值20ns/15ns

特性

LC89901V-TE-R具备多项先进特性，使其在无线充电发射控制器领域具有显著优势。首先，该芯片集成了完整的栅极驱动电路，能够高效驱动外部N沟道MOSFET，支持全桥和半桥两种拓扑结构，灵活适应不同功率等级的设计需求。其内置高频振荡器支持频率调制技术，有助于优化电磁兼容性（EMC）性能，减少对外部滤波元件的需求，从而降低整体BOM成本。
　　其次，LC89901V-TE-R支持通过I2C或SPI接口与主控微控制器通信，允许动态调整工作频率、占空比及启停控制，便于实现复杂的控制算法，如数字调频功率调节和异物检测（Foreign Object Detection, FOD）。FOD功能对于无线充电系统至关重要，可以防止金属异物在充电过程中因涡流发热引发安全隐患。芯片可通过监测系统阻抗变化来识别异物，并及时切断电源输出，确保用户安全。
　　再者，该器件具备完善的保护机制，包括过流保护（OCP）、过温保护（OTP）和欠压锁定（UVLO），能够在异常工况下自动关闭输出，保护自身及外围器件不受损坏。这些保护功能提升了系统的可靠性与耐用性，特别适用于长时间运行的充电设备。
　　此外，LC89901V-TE-R采用QFN-20小型封装，具有良好的热性能和空间利用率，非常适合紧凑型无线充电板设计。其低静态电流特性也有助于待机模式下的功耗优化，满足现代电子产品对能效的要求。总体而言，LC89901V-TE-R是一款高性能、高集成度的无线充电驱动控制解决方案，适用于中高功率Qi认证无线充电器设计。

应用

LC89901V-TE-R主要应用于符合Qi标准的无线充电发射器系统，广泛用于消费类电子产品领域。典型应用场景包括智能手机无线充电底座、多设备无线充电板、车载无线充电支架以及智能家具集成的无线充电模块。由于其支持数字控制和异物检测功能，该芯片也适用于需要高安全性和智能管理能力的中高端无线充电产品。
　　此外，该器件可用于可穿戴设备充电平台，如智能手表、无线耳机等小型电子设备的无线充电托盘。其高集成度和灵活的驱动配置还使其适用于工业手持设备、医疗便携仪器等对可靠性和安全性要求较高的领域。
　　在智能家居生态系统中，LC89901V-TE-R可用于嵌入式无线充电桌面、床头柜或灯具中，实现无缝充电体验。结合主控MCU和感应线圈阵列，可构建支持自由定位或多位置充电的智能充电表面。
　　由于其良好的EMI抑制能力和温度稳定性，该芯片也可用于汽车内饰中的无线充电面板，满足车规级环境下的长期稳定运行需求。总之，LC89901V-TE-R适用于所有需要高效、安全、智能化控制的无线电力传输场景。