类型：PNP
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：80V
　　最大集电极电流（IC）：750mA
　　最大功耗（PD）：30W
　　直流电流增益（hFE）：50 - 250（典型值）
　　增益带宽积（fT）：150MHz
　　封装形式：TO-3
　　工作结温范围：-65°C 至 +200°C
　　最大基极电流（IB）：75mA
　　最大集电极-基极电压（VCB）：100V
　　最大发射极-基极电压（VEB）：5V

JANTXV2N6782的核心优势在于其卓越的可靠性和稳定性，尤其是在极端环境条件下仍能保持一致的电气性能。该器件采用高纯度硅材料和成熟的双极工艺制造，确保了载流子迁移率的均匀性和结特性的稳定性。其PNP结构设计优化了空穴注入效率，从而在中等电流范围内提供较高的直流电流增益（hFE），通常在50至250之间，具体取决于工作点和温度条件。这种宽范围的增益特性使其适用于多种偏置配置，包括共发射极放大器和开关电路。器件的增益带宽积（fT）高达150MHz，表明其具备良好的高频响应能力，可用于中频放大或高速开关应用。
　　该晶体管的TO-3金属封装不仅提供了优异的散热能力，还增强了抗电磁干扰（EMI）和机械防护性能。封装内部采用金线键合和陶瓷绝缘材料，提升了长期使用的耐久性。JANTXV2N6782经过严格的军用标准筛选流程，包括100%的温度循环测试、稳态寿命试验（通常为1000小时）、密封性测试（细检漏和粗检漏）以及电参数测试。这些测试确保器件在-65°C至+200°C的宽结温范围内均能正常工作，适用于喷气发动机控制系统、卫星电源模块、雷达前置放大器等高要求场景。
　　此外，该器件具备出色的二次击穿耐受能力，这在功率线性应用中尤为重要，例如在串联调整式稳压电源中作为调整管使用时，能够承受瞬态过载和热应力而不发生永久性损坏。其低饱和压降（VCE(sat)）特性也提高了系统效率，减少了热量积累。JANTXV2N6782还具有较低的漏电流（ICEO），即使在高温环境下也能保持良好的关断特性，避免误触发或静态功耗过高问题。整体而言，该器件是高可靠性模拟和混合信号系统中的关键组件。

JANTXV2N6782主要用于对可靠性和环境适应性要求极高的军事与航空航天电子系统。典型应用场景包括军用通信设备中的射频功率放大器和前置驱动级，其中需要稳定的增益和低噪声性能以确保信号完整性。在航空航天领域，该器件常用于飞行控制系统的伺服放大器、惯性导航系统的电源调节模块以及卫星平台上的DC-DC转换器中的反馈控制回路。其高结温能力和抗辐射特性使其能够在太空或高空飞行器的极端温度变化环境中长期稳定运行。
　　在地面军事装备中，JANTXV2N6782被广泛应用于雷达系统、电子战设备和战术车辆的电源管理系统。例如，在雷达接收机前端，该晶体管可用于低噪声放大（LNA）或中频放大环节，利用其高增益和良好线性度提升系统灵敏度。在高可靠性工业控制领域，如核电站控制系统、深井探测仪器和高速列车牵引控制单元中，该器件也因其长寿命和故障率低而受到青睐。
　　此外，JANTXV2N6782还适用于精密测试仪器和高稳定性基准源设计，尤其是在需要宽温度范围工作的户外或野外设备中。由于其TO-3封装便于安装散热器，因此在需要手动调节或模块化更换的设计中具有实际优势。总体而言，该器件适用于任何不能容忍失效的关键任务系统，是军工级元器件库中的重要组成部分。

JANTX2N6782
　　MIL-PRF-19500/1423
　　2N6782