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LC82C188 发布时间 时间:2025/12/28 17:04:52 查看 阅读:16

LC82C188是一款由ON Semiconductor生产的高性能、低功耗的双通道MOSFET驱动器集成电路。该芯片专为驱动N沟道功率MOSFET设计,广泛用于电机控制、电源转换、UPS系统以及各类工业自动化设备中。LC82C188采用双通道高压高侧/低侧驱动结构,能够提供较强的驱动能力和良好的抗干扰性能,确保功率MOSFET的稳定工作。

参数

工作电压范围:10V至20V
  高侧驱动电压能力:最大可达VDD
  输出电流能力:源电流/灌电流均为1.5A(典型值)
  传输延迟时间:120ns(典型值)
  脉冲宽度失真:小于5ns
  工作温度范围:-40°C至+125°C
  封装形式:16引脚SOIC、DIP等

特性

LC82C188具备多项优异性能,其高侧和低侧驱动通道均可独立控制,适合用于半桥拓扑结构中的功率MOSFET驱动。芯片内部集成自举二极管,简化了外部电路设计并降低了元件数量。该器件的高驱动电流能力可加快MOSFET的开关速度,从而降低开关损耗,提高系统效率。
  此外,LC82C188具有良好的抗dv/dt能力,能够在高噪声环境中稳定运行。其输入端兼容CMOS/TTL电平,方便与各种控制器连接。芯片还具备欠压锁定保护(UVLO)功能,在电源电压不足时自动关闭输出,防止功率MOSFET工作在非安全区域。
  该驱动器的工作温度范围宽,适用于严苛工业环境。LC82C188的封装形式多样,便于根据应用需求选择适合的封装类型,如16引脚SOIC和DIP封装,适用于表面贴装和通孔安装。

应用

LC82C188广泛应用于各类电力电子系统中,如无刷直流电机驱动、逆变器、UPS不间断电源、DC-DC转换器、开关电源以及工业自动化控制系统。由于其高可靠性和驱动能力,该芯片也常用于电动车、电动工具和家用电器中的功率控制模块。

替代型号

TC4427, IR2104, HIP4080, NCP2182

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