IX1473GEZZ是一款由IXYS公司生产的高压、高速双路MOSFET/IGBT驱动器集成电路。该芯片专为电源转换系统、电机控制和工业自动化等应用设计,提供了高效的栅极驱动能力和可靠的电气隔离保护。IX1473GEZZ采用双通道结构,能够独立控制两个功率开关器件,同时具备高耐压能力,适用于各种高要求的功率电子系统。
类型:MOSFET/IGBT驱动器
封装类型:SOIC-16
电源电压(Vcc):10V ~ 30V
最大输出电流:±1.2A(典型值)
最大工作电压:600V(H桥高侧)
输入逻辑电平兼容:TTL/CMOS
传输延迟时间:100ns(典型值)
隔离电压:2500VRMS(H桥高侧)
工作温度范围:-40°C ~ +125°C
驱动能力:适用于MOSFET和IGBT栅极驱动
封装材料:符合RoHS标准
IX1473GEZZ具备多种高性能特性,使其在复杂的功率驱动应用中表现出色。首先,该芯片内置了自举电路和高侧浮动电源供电机制,支持高侧MOSFET或IGBT的驱动工作,适用于半桥和全桥拓扑结构。其高侧最大工作电压可达600V,具有良好的耐压能力和抗干扰性能。
其次,IX1473GEZZ的输出驱动能力较强,能够提供高达±1.2A的峰值电流,确保功率器件快速开关,从而减少开关损耗并提高系统效率。此外,该芯片具有较短的传输延迟时间(典型值为100ns),并具有较低的延迟偏差,非常适合高频开关应用。
为了提高系统稳定性与安全性,IX1473GEZZ集成了欠压锁定(UVLO)保护功能,当电源电压低于设定阈值时,输出将被自动关闭,防止功率器件在不安全电压下工作。该芯片还具有较强的抗干扰能力,能够在高噪声环境下稳定运行。
此外,IX1473GEZZ采用SOIC-16封装,具备良好的热性能和电气隔离能力,适合在工业级温度范围内(-40°C至+125°C)运行,适用于各种高可靠性应用场景。
IX1473GEZZ广泛应用于需要高压、高速驱动能力的功率电子系统中,如电机驱动器、变频器、电源转换器、不间断电源(UPS)、工业自动化设备和电动汽车充电系统等。该芯片特别适用于半桥或全桥拓扑结构中的MOSFET或IGBT驱动,为高性能电源系统提供稳定可靠的驱动解决方案。
IX1473GEX2、IX1473GE-TR、IR2113、IRS2106、LM5106、MIC5021