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LC75412WH-D-TLM 发布时间 时间:2025/9/21 4:21:23 查看 阅读:7

LC75412WH-D-TLM是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的高精度、低功耗的霍尔效应传感器IC,专为无刷直流电机(BLDC)换向和位置检测应用而设计。该器件集成了霍尔传感元件、信号调理电路以及开漏输出驱动器,能够在宽温度范围和电压范围内稳定工作。LC75412WH-D-TLM采用小型化的SOT-553封装,适用于对空间要求严格的便携式设备和工业控制系统。该芯片通过检测外部磁场的变化来输出相应的数字信号,常用于电机控制、转速测量、位置感应等场合。其内部电路具备反向电压保护、过压保护和静电放电(ESD)保护功能,提高了系统在恶劣环境下的可靠性。此外,该器件具有良好的磁灵敏度匹配性和温度稳定性,能够在?40°C至+150°C的结温范围内持续运行,适合汽车级应用需求。

参数

类型:霍尔效应传感器
  输出类型:开漏输出
  供电电压:3.0V 至 24V
  工作电流:典型值 6mA
  静态电流:典型值 4.5mA
  工作温度范围:?40°C 至 +150°C(结温)
  封装类型:SOT-553
  响应频率:最高支持 20kHz
  磁灵敏度:BOP(开启点)典型值 3.5mT;BRP(释放点)典型值 1.8mT;BHYS(磁滞)典型值 1.7mT
  输出耐压:最高 40V
  上升/下降时间:典型值 0.5μs
  极性识别:支持南/北极感应
  方向检测:单轴磁场检测

特性

LC75412WH-D-TLM具备优异的温度稳定性和长期可靠性,其内部集成的霍尔元件经过激光修调工艺处理,确保了磁参数的高度一致性,从而在批量应用中减少校准需求。该器件采用动态偏移消除技术,有效抑制了热漂移和机械应力带来的零点偏移问题,提升了信号输出的准确性和稳定性。其开漏输出结构允许用户灵活配置上拉电阻,适配不同的逻辑电平系统,如3.3V或5V微控制器输入。芯片内置的电源监控电路可在电压波动时防止误触发,增强了抗干扰能力。
  该传感器对磁场变化响应迅速,响应时间低于1微秒,能够满足高速电机换向控制的需求。其磁滞特性经过优化设计,避免了在临界磁场强度下输出振荡的问题,确保每一次切换动作清晰可靠。此外,器件具备反向电源连接保护功能,在安装或维护过程中即使发生电源反接也不会造成永久性损坏,提高了现场使用的安全性。
  LC75412WH-D-TLM符合AEC-Q100汽车电子认证标准,适用于严苛的车载环境,如电动助力转向系统(EPS)、冷却风扇电机、油泵和水泵控制等。其SOT-553超小型封装不仅节省PCB空间,还便于自动化贴装,降低生产成本。整体设计兼顾性能、可靠性和经济性,是现代高效电机控制系统中的理想选择。

应用

广泛应用于无刷直流电机换向控制、汽车电机位置检测、工业自动化设备中的速度与位置传感、编码器辅助检测、家用电器中的风扇电机控制、电池供电设备中的低功耗位置感应装置。特别适用于需要高可靠性与小型化设计的汽车电子系统,如电动座椅调节、车窗升降器、HVAC风门控制等场景。同时也可用于机器人关节位置反馈、无人机电机控制等新兴领域。

替代型号

NCS2201T1G

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