时间：2025/8/2 4:30:51
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GT100N04K是一款N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由东芝（Toshiba）公司生产。这款MOSFET专为高电流、低导通电阻（Rds(on)）和快速开关性能而设计，适用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统。GT100N04K广泛应用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理和电池供电设备等领域。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：100A
最大漏源电压（VDS）：40V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：4.0mΩ（典型值）
功率耗散（PD）：200W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
GT100N04K MOSFET具有多个显著的特性，使其适用于高性能电源管理应用。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可以显著降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。其次，该器件能够承受高达100A的连续漏极电流，适合高电流负载的应用。此外，GT100N04K的最大漏源电压为40V，使其适用于中高压电源转换系统。
该MOSFET的封装形式为TO-247，这种封装提供了良好的热管理和机械稳定性，有助于在高功率操作条件下维持较低的结温。此外，其栅极驱动电压范围宽，支持常见的10V或12V驱动电路，简化了与标准MOSFET驱动器的兼容性。
GT100N04K还具备快速开关特性，减少开关损耗，提高系统的整体能效。它在高温环境下仍能保持稳定工作，适合工业级应用。该器件的设计确保了在极端工作条件下的可靠性和耐用性。
GT100N04K广泛应用于多种电力电子系统中，尤其是在需要高电流和低导通损耗的场合。常见的应用包括直流-直流（DC-DC）转换器、电机控制器、电源管理系统、电池充电器和逆变器。此外，它也适用于需要高可靠性的工业自动化设备、电动工具和不间断电源（UPS）系统。
IPB100N04S4-03, FDP100N04S4L
