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GT100N04K 发布时间 时间:2025/8/2 4:30:51 查看 阅读:29

GT100N04K是一款N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由东芝(Toshiba)公司生产。这款MOSFET专为高电流、低导通电阻(Rds(on))和快速开关性能而设计,适用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统。GT100N04K广泛应用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理和电池供电设备等领域。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):100A
  最大漏源电压(VDS):40V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(Rds(on)):4.0mΩ(典型值)
  功率耗散(PD):200W
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:TO-247

特性

GT100N04K MOSFET具有多个显著的特性,使其适用于高性能电源管理应用。首先,其低导通电阻(Rds(on))可以显著降低导通状态下的功率损耗,提高系统效率。其次,该器件能够承受高达100A的连续漏极电流,适合高电流负载的应用。此外,GT100N04K的最大漏源电压为40V,使其适用于中高压电源转换系统。
  该MOSFET的封装形式为TO-247,这种封装提供了良好的热管理和机械稳定性,有助于在高功率操作条件下维持较低的结温。此外,其栅极驱动电压范围宽,支持常见的10V或12V驱动电路,简化了与标准MOSFET驱动器的兼容性。
  GT100N04K还具备快速开关特性,减少开关损耗,提高系统的整体能效。它在高温环境下仍能保持稳定工作,适合工业级应用。该器件的设计确保了在极端工作条件下的可靠性和耐用性。

应用

GT100N04K广泛应用于多种电力电子系统中,尤其是在需要高电流和低导通损耗的场合。常见的应用包括直流-直流(DC-DC)转换器、电机控制器、电源管理系统、电池充电器和逆变器。此外,它也适用于需要高可靠性的工业自动化设备、电动工具和不间断电源(UPS)系统。

替代型号

IPB100N04S4-03, FDP100N04S4L

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GT100N04K参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格2,500 : ¥1.37885卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)50A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)10 毫欧 @ 5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)32 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)644 pF @ 20 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)80W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-252
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63