时间：2025/6/4 10:29:20
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LC4064V-75TN100-10I 是一款基于 CMOS 工艺的低功耗静态随机存取存储器（SRAM）。该芯片具有高速读写能力、低功耗特性和高可靠性，适用于工业和商业应用中的数据存储场景。其封装形式为 TSSOP-100，工作电压范围广，支持多种供电模式。
这款 SRAM 提供了 4M x 16 的存储容量配置，能够满足高性能嵌入式系统对大容量快速存储的需求。此外，它还集成了自动省电功能，在不需要访问内存时可以显著降低功耗。
存储容量：4M x 16位（8MB）
工作电压：1.7V 至 1.9V
访问时间：7ns
数据保持时间：无限（只要电源正常工作）
封装形式：TSSOP-100
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
I/O 电压：1.7V 至 1.9V
待机功耗：<2μW（典型值）
工作频率：最高 143MHz
LC4064V-75TN100-10I 具有以下主要特性：
1. 高速性能：支持高达 143MHz 的时钟频率，确保快速的数据传输与处理。
2. 静态 RAM 技术：无需刷新操作即可保存数据，简化了设计复杂度。
3. 超低功耗：在待机模式下消耗极低的电流，非常适合电池供电设备。
4. 可靠性高：具备数据保持功能，在掉电前可长期保存信息。
5. 宽工作电压范围：兼容多种供电环境，增强设计灵活性。
6. 商业级及工业级温度范围：满足不同应用场景下的稳定运行需求。
7. 自动节电模式：通过检测活动状态减少不必要的能量损耗。
LC4064V-75TN100-10I 广泛应用于需要大容量高速缓存或临时存储的场合，包括但不限于以下领域：
1. 网络通信设备：路由器、交换机等设备中的包缓冲存储。
2. 嵌入式系统：如工业控制器、医疗仪器、测试测量装置中的临时数据存储。
3. 图形处理单元：用作显存扩展或帧缓冲区。
4. 消费类电子产品：数码相机、打印机、游戏机中的图像或音频缓存。
5. 数据采集系统：实时记录传感器数据并进行快速处理。
6. 物联网终端：作为本地存储以优化网络带宽使用。
LC4064V-75TNG100-10I
IS61LV4096AL-10TI
CY62LV1024FBJ-70SXI
AS4C16M16SA-10TCN
