IXGH25N250 是一款由 IXYS 公司生产的高功率 N 沟道 IGBT(绝缘栅双极晶体管),主要用于需要高电压和高电流处理能力的工业和电力电子应用。该器件结合了 MOSFET 的高输入阻抗特性和双极晶体管的低导通压降特性,使其在高功率开关应用中表现出色。IXGH25N250 采用 TO-247 封装形式,适用于需要高可靠性和高效率的场合。
类型:IGBT
最大集电极-发射极电压(Vce):2500V
最大集电极电流(Ic):25A
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:TO-247
栅极阈值电压(Vge(th)):约 5.5V(典型值)
短路耐受能力:有
最大工作频率:约 50kHz(典型值)
IXGH25N250 的一大优势是其高电压和高电流处理能力,能够在恶劣的电气环境中稳定运行。该 IGBT 具有较低的导通压降(Vce_sat),这有助于减少功率损耗并提高系统效率。此外,该器件具有良好的短路耐受能力,增强了在突发故障情况下的可靠性。
其 TO-247 封装设计便于安装在散热器上,确保在高功率应用中有效散热。IXGH25N250 的栅极驱动要求相对较低,适用于多种驱动电路设计,同时具备较高的抗干扰能力和稳定性。
由于其良好的热性能和电气性能,IXGH25N250 在高频开关应用中表现出色,适用于逆变器、直流-交流转换器、UPS(不间断电源)系统和焊接设备等应用。
IXGH25N250 常用于高功率工业设备中,例如变频器、电焊机、电机驱动系统、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器和高压电源转换系统。它也适用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统,如工业电机控制和高功率开关电源。
IXGH25N250D2, IXGH25N250A2, IXGH25N250P2