型号：LC3664BL-10
　　制造商：LRC（乐山无线电）
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：48A（Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：192A
　　导通电阻（Rds(on)）：10.5mΩ（Max，Vgs=10V）
　　导通电阻（Rds(on)）：13mΩ（Max，Vgs=4.5V）
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：3300pF（Typ，Vds=25V）
　　输出电容（Coss）：920pF（Typ，Vds=25V）
　　反向传输电容（Crss）：170pF（Typ，Vds=25V）
　　栅极电荷（Qg）：52nC（Typ，Vds=48V）
　　功耗（Pd）：125W（Tc=25℃）
　　工作结温范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装：TO-252（D-Pak）

LC3664BL-10采用高性能沟槽工艺制造，具备极低的导通电阻，这使得它在大电流应用中能够显著降低导通损耗，提升系统效率。其Rds(on)最大值仅为13mΩ（在Vgs=4.5V条件下），意味着即使在较低的驱动电压下也能实现高效的功率传导，特别适合由3.3V或5V逻辑信号直接驱动的应用场景。这种低门槛驱动能力简化了外围电路设计，减少了对专用驱动IC的依赖，从而降低了整体成本和PCB空间占用。
　　该器件具有优异的开关特性，得益于较低的栅极电荷（Qg=52nC）和合理的寄生电容配置，使其在高频开关应用中表现出色。快速的开关响应有助于减少开关过渡时间，从而进一步降低开关损耗，这对于提高DC-DC变换器、同步整流器等高频率电源拓扑的效率至关重要。同时，其出色的热稳定性确保了在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，避免因温度上升导致的性能衰减或热失控风险。
　　LC3664BL-10内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，虽然不适用于超高速整流场合，但在一般的续流和能量回馈路径中表现可靠。该MOSFET还具备较强的雪崩耐量，能够在瞬态过压事件中吸收一定的能量而不发生永久性损坏，提升了系统的鲁棒性和长期运行的可靠性。此外，TO-252封装不仅提供了良好的机械强度，还通过较大的铜焊盘实现高效散热，允许器件在较高功率密度下持续工作。综合来看，LC3664BL-10是一款兼顾性能、可靠性和成本效益的中低压N沟道MOSFET，适用于多种工业与消费类电子产品中的功率控制需求。

LC3664BL-10广泛应用于各类需要高效功率切换的电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器、DC-DC降压/升压转换器，在这些拓扑中作为主开关管或同步整流管使用，利用其低导通电阻和快速开关特性来提升转换效率并减少发热。此外，该器件也常用于电机驱动电路，例如电动工具、风扇、小型泵类设备的H桥或半桥驱动模块中，能够承受频繁启停和反向电流冲击，保障驱动系统的稳定运行。
　　在电池供电系统中，如便携式设备、电动自行车控制器或UPS不间断电源中，LC3664BL-10可用于电池充放电管理电路或负载开关控制，实现对电流路径的精确控制。其支持逻辑电平驱动的特性使其非常适合与微控制器或专用电源管理IC配合使用，无需额外增加电平转换或驱动放大电路，简化了系统设计。同时，该MOSFET也可用于LED驱动电源、逆变器、电源分配单元（PDU）以及各类工业自动化控制设备中的功率开关环节。
　　由于其具备良好的热性能和较高的电流承载能力，LC3664BL-10在紧凑型高功率密度设计中表现出色，尤其适合对空间和效率有严格要求的应用场景。此外，在汽车电子辅助系统（非车载动力系统）中也有潜在应用价值，如车灯控制、小型电机控制等，前提是需满足相应的车规级认证要求。总体而言，该器件凭借其综合性能优势，成为众多中低端功率电子设计中的优选方案之一。

AP60T03GP-HF
　　SISS050DN-T1-GE3
　　FDS6680A
　　AOZ2260NQI-02