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EGA10201V00A3 发布时间 时间:2025/7/8 16:26:23 查看 阅读:19

EGA10201V00A3是一款高性能的MOSFET功率晶体管,通常用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用中。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,能够有效降低功耗并提高系统效率。
  这款MOSFET属于N沟道增强型器件,适合用作同步整流或负载开关。其出色的电气性能使其成为众多电力电子应用中的理想选择。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:28A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:48nC
  开关时间:典型值ton=9ns,toff=16ns
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

EGA10201V00A3的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗,从而提高系统效率。
  2. 快速开关能力,能够支持高频操作,非常适合现代高效能电力转换设计。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
  4. 小尺寸封装,节省PCB空间,便于高密度电路设计。
  5. 优异的热稳定性,确保在宽温度范围内保持一致的性能。
  6. 符合RoHS标准,环保且适用于各种工业及消费类电子产品。

应用

该MOSFET广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机驱动与控制
  4. 电池管理系统(BMS)
  5. 汽车电子中的负载切换
  6. 工业自动化设备中的功率控制
  7. 各种需要高效功率转换的应用场景

替代型号

IPA60R150PFD,
  IRFZ44N,
  FDP5580,
  AON6806

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