EGA10201V00A3是一款高性能的MOSFET功率晶体管,通常用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用中。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,能够有效降低功耗并提高系统效率。
这款MOSFET属于N沟道增强型器件,适合用作同步整流或负载开关。其出色的电气性能使其成为众多电力电子应用中的理想选择。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:28A
导通电阻:1.5mΩ
栅极电荷:48nC
开关时间:典型值ton=9ns,toff=16ns
工作温度范围:-55℃至175℃
EGA10201V00A3的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗,从而提高系统效率。
2. 快速开关能力,能够支持高频操作,非常适合现代高效能电力转换设计。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 小尺寸封装,节省PCB空间,便于高密度电路设计。
5. 优异的热稳定性,确保在宽温度范围内保持一致的性能。
6. 符合RoHS标准,环保且适用于各种工业及消费类电子产品。
该MOSFET广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动与控制
4. 电池管理系统(BMS)
5. 汽车电子中的负载切换
6. 工业自动化设备中的功率控制
7. 各种需要高效功率转换的应用场景
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