时间：2025/9/20 21:21:30
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LC35W256ET-10W是一款由LRC（乐山无线电）推出的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等高效率、高频开关场景中。该器件采用先进的沟槽式场效应技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和优良的热稳定性等特点。其封装形式为TO-252（D-PAK），适合表面贴装，具备良好的散热性能，能够在较宽的温度范围内稳定工作。LC35W256ET-10W的设计目标是提供高效的电能转换能力，同时降低系统功耗和发热，适用于对能效要求较高的现代电子设备。
该MOSFET的命名规则中，'LC'代表制造商前缀，'35'表示漏源电压等级约为35V左右（实际为30V），'W'可能表示宽体封装或特定产品系列，'256'为产品编号，'E'表示增强型模式，'T'代表TO-252封装，而'10W'可能指其最大功耗或额定功率等级。尽管型号中标注10W，但实际功耗需结合散热条件与工作环境判断。这款器件在国产化替代方案中受到关注，因其性价比较高，在消费类电子产品、工业控制及通信电源模块中均有应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：90A（Tc=25℃）
脉冲漏极电流（Idm）：360A
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（Max）@ Vgs=10V
阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.5V
输入电容（Ciss）：约7000pF @ Vds=15V, Vgs=0V
输出电容（Coss）：约2800pF
反向恢复时间（trr）：典型值50ns
工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-252 (D-PAK)
功率耗散（Pd）：10W（Tc=25℃）
LC35W256ET-10W采用先进的沟槽栅极工艺技术，显著降低了导通电阻Rds(on)，从而减少了导通损耗，提升了整体转换效率。其最大导通电阻仅为4.5mΩ，在同类30V N沟道MOSFET中处于领先水平，特别适合大电流应用场景，如同步整流、电池管理系统和电动工具驱动电路。低Rds(on)意味着在相同电流下产生的热量更少，有助于简化散热设计并提高系统可靠性。此外，该器件具有优异的开关特性，包括快速的上升时间和下降时间，能够支持高达数百kHz甚至MHz级别的开关频率，满足现代高频电源设计的需求。
该MOSFET具备较强的抗浪涌能力，脉冲漏极电流可达360A，说明其在瞬态负载或启动冲击条件下仍能保持稳定运行，避免因瞬间过流导致器件损坏。其栅极阈值电压范围为1.0V至2.5V，兼容逻辑电平驱动信号，可直接由微控制器或驱动IC控制，无需额外升压电路，降低了系统复杂度和成本。输入电容和输出电容数值适中，平衡了开关速度与驱动损耗之间的关系，确保在高频工作时不会因过大的容性负载而增加驱动功耗。
TO-252封装提供了良好的热传导路径，有利于将芯片内部产生的热量迅速传递到PCB或外部散热器上，提升长期工作的稳定性。该封装也便于自动化贴片生产，适用于大批量制造。器件符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保，适用于出口型电子产品。此外，LC35W256ET-10W在高温环境下仍能保持性能稳定，最大工作结温达150℃，适合在恶劣工业环境中使用。通过优化内部结构设计，该MOSFET还具备一定的抗雪崩能力，增强了在异常工况下的耐受性。
LC35W256ET-10W主要应用于需要高效、低损耗功率开关的场合。常见用途包括开关模式电源（SMPS），特别是在同步整流拓扑中作为主开关管或整流管使用，能够显著提升电源效率并减少发热。在DC-DC降压或升压转换器中，该器件可用于高侧或低侧开关，适用于服务器电源、通信设备电源模块、笔记本电脑适配器等产品。由于其支持大电流输出，也可用于电池供电系统的充放电控制回路，例如电动自行车控制器、便携式储能设备和无人机电源管理单元。
在电机驱动领域，LC35W256ET-10W可用于H桥或半桥驱动电路中，驱动直流电机或步进电机，尤其适合中小功率电机控制，如家用电器中的风扇电机、智能锁驱动机构等。此外，该器件还可用于LED恒流驱动电源、逆变器输出级、热插拔电源开关以及各类过流保护电路中。得益于其良好的热稳定性和紧凑的封装尺寸，该MOSFET非常适合空间受限但对性能有较高要求的应用场景。在工业自动化控制系统中，它常被用作固态继电器或负载开关元件，实现对执行机构的快速通断控制。总之，凡涉及低压大电流、高频开关的电力电子系统，LC35W256ET-10W均是一个可靠且经济的选择。
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"FDS6680A",
"IRLB8743",
"AUIRF2804",
"SiS456EDN",
"TPS403",
"AP4403N"
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