型号：LC3517AS-15
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：TO-252 (D-PAK)
　　漏源电压(VDS)：150V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：17A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：70A
　　导通电阻(RDS(on))：85mΩ @ VGS=10V, ID=8.5A
　　阈值电压(VGS(th))：2.0V ~ 4.0V
　　栅极电荷(Qg)：30nC @ VDS=100V
　　输入电容(Ciss)：1050pF @ VDS=25V
　　输出电容(Coss)：280pF @ VDS=25V
　　反向恢复时间(trr)：25ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　热阻结到壳(RthJC)：1.7°C/W

LC3517AS-15采用先进的沟槽式MOSFET工艺制造，这种结构可以有效降低导通电阻并提升单位面积的电流承载能力。其RDS(on)典型值仅为85mΩ，在同类150V N沟道MOSFET中处于较优水平，有助于减少导通状态下的功率损耗，从而提高电源系统的整体效率。低导通电阻还意味着在大电流应用中发热更少，提升了系统的热稳定性和长期运行可靠性。该器件的阈值电压范围为2.0V至4.0V，确保了在多种驱动条件下都能可靠开启，同时避免因噪声干扰导致误触发。
　　该MOSFET具备优良的开关特性，其栅极电荷Qg仅为30nC，输入电容Ciss为1050pF，这些参数表明其在高频开关应用中具有较低的驱动损耗和较快的开关速度。这对于现代高效率DC-DC变换器、同步整流电路以及PWM控制电机驱动至关重要。较小的栅极电荷意味着控制器所需的驱动电流更小，可兼容多种逻辑电平信号源，包括微控制器直接驱动或通过专用驱动芯片控制。
　　LC3517AS-15的封装形式为TO-252（D-PAK），这是一种广泛使用的表面贴装功率封装，具有良好的散热性能和机械强度。该封装支持PCB上的自动贴片工艺，适合大规模自动化生产。同时，其热阻RthJC为1.7°C/W，表明从结到外壳的热量传导效率较高，配合适当的散热设计（如敷铜区域或外加散热片），可在高负载条件下维持安全的工作温度。
　　该器件还具备较强的抗雪崩能力和耐用性，能够在瞬态过压或感性负载关断时承受一定的能量冲击而不损坏。这一特性使其在电机驱动、继电器开关和逆变器等存在反电动势的场合中表现出更高的鲁棒性。此外，其工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应各种恶劣环境条件下的稳定运行，满足工业级和部分汽车级应用的需求。

LC3517AS-15因其优异的电气性能和可靠的封装设计，被广泛应用于多个领域的功率开关电路中。在开关模式电源（SMPS）中，它常用于初级侧的主开关管或次级侧的同步整流器，特别是在AC-DC适配器、充电器和LED驱动电源中表现突出。其低导通电阻和快速开关能力有助于提升转换效率并降低温升，符合当前节能环保的设计趋势。
　　在DC-DC转换器拓扑结构中，如Buck、Boost和Flyback电路中，LC3517AS-15可用于高频斩波开关，实现高效的电压调节。由于其具备较低的栅极驱动需求，非常适合与PWM控制器搭配使用，构成紧凑高效的电源模块。此外，在便携式设备和嵌入式系统中，该器件有助于缩小电源体积并延长电池续航时间。
　　电机驱动领域也是LC3517AS-15的重要应用场景之一。无论是直流有刷电机还是步进电机的H桥驱动电路，该MOSFET都能胜任高低边开关的角色，提供快速响应和低功耗运行。其耐受反向电动势的能力使其在启停频繁或负载突变的情况下依然保持稳定。
　　此外，该器件还可用于逆变器、UPS不间断电源、太阳能充电控制器、电子负载、电焊机电源模块以及各类工业控制设备中的功率切换环节。凭借其150V的耐压能力和17A的持续电流承载能力，LC3517AS-15在中等功率等级的应用中展现出良好的性价比和实用性。

FQP15N15, STP16NF15, IRF1404, SIHF15N15T