时间：2025/7/11 18:51:49
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LC1463CB5ATR18 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用先进的沟槽式技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于需要高效功率转换和快速动态响应的应用场景。
该 MOSFET 的封装形式为 LFPAK88，这是一种紧凑型表面贴装封装，能够提供良好的散热性能和电气连接。由于其出色的性能，LC1463CB5ATR18 广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：19A
导通电阻：1.8mΩ
总栅极电荷：75nC
输入电容：3230pF
工作温度范围：-55℃ to 175℃
LC1463CB5ATR18 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，在典型条件下仅为 1.8mΩ，可显著降低导通损耗，提高系统效率。
2. 快速开关能力，得益于其较小的总栅极电荷 (Qg)，能够实现高频操作。
3. 高额定电流 (19A)，适合大功率应用环境。
4. 宽工作温度范围 (-55°C 至 +175°C)，确保在极端条件下仍能稳定运行。
5. 封装设计优化了散热性能，支持高效的热管理。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足全球法规要求。
LC1463CB5ATR18 主要应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 通信基础设施中的信号处理模块。
5. 汽车电子系统的电池管理与保护电路。
6. 各类消费电子产品中的高效功率管理单元。
LC1463CBB5ATR18, IRF7771, FDP158N06L
