制造商: Mitsubishi Electric
　　器件类型: IGBT模块
　　集电极-发射极电压(Vce): 1200V
　　额定集电极电流(Ic): 130A
　　工作温度范围: -40°C至+150°C
　　封装类型: 双列直插式（Dual）
　　安装类型: 通孔安装
　　短路耐受能力: 10μs
　　栅极驱动电压(Vge): ±20V
　　短路电流(Isc): 260A

SSQE48T13050-NACNG具备低饱和压降特性，能够在高负载条件下提供较高的能效。其优化的芯片布局设计减少了电磁干扰（EMI），并提高了模块的整体性能。此外，该模块具有良好的热管理能力，能够在高温环境下稳定运行。其封装材料具备较高的绝缘性能，确保了模块在高压条件下的安全运行。模块还具备优异的短路保护能力，可在极端条件下提供可靠的保护。这些特性使得SSQE48T13050-NACNG非常适合用于工业电机驱动、可再生能源系统以及电力传输和分配系统等高功率应用场景。
　　在设计上，SSQE48T13050-NACNG采用了先进的芯片焊接技术，确保了芯片与基板之间的良好热传导，从而提高了模块的热稳定性和长期可靠性。模块内部的芯片并联设计使其能够承受较大的电流负载，并在高功率密度应用中表现出色。此外，模块的封装设计优化了内部结构，以减少寄生电感，从而降低了开关损耗和电压尖峰的风险。这使得该模块在高频开关应用中表现优异。同时，模块符合RoHS标准，符合环保要求，适用于各种现代工业应用。

SSQE48T13050-NACNG广泛应用于工业电机驱动系统、可再生能源（如太阳能逆变器和风力发电系统）以及电力传输和分配系统等领域。此外，它也适用于需要高功率密度和高可靠性的其他工业和电力电子设备。

SSQE48T13050-NACN-D, SSQE48T13050-NACN-A