您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > LBZX84C6V2T1G

LBZX84C6V2T1G 发布时间 时间:2025/8/13 14:48:01 查看 阅读:23

LBZX84C6V2T1G 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款精密的表面贴装齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压调节和参考电压应用。该器件采用 SOD-523 封装,适用于便携式设备、电源管理系统以及需要稳定参考电压的电路。LBZX84C6V2T1G 的标称齐纳电压为 6.2V,具有低动态电阻和良好的温度稳定性,能够在较宽的工作温度范围内提供精确的电压参考。

参数

类型:齐纳二极管
  标称齐纳电压:6.2V
  最大齐纳电流:20mA
  最大耗散功率:300mW
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:SOD-523
  安装类型:表面贴装(SMT)
  极性:单向
  最大反向漏电流(@ VR):100nA
  最大动态电阻(@ IZ):800Ω

特性

LBZX84C6V2T1G 齐纳二极管具有多项优良特性,适用于高精度电压调节和参考电压电路。
  首先,其标称齐纳电压为 6.2V,这一电压值在电压参考应用中具有较高的稳定性,尤其是在温度变化较大的环境中,表现出良好的温度系数(典型值为 +2.5mV/°C)。这种稳定性使其非常适合用于精密模拟电路和数字系统中的参考电压源。
  其次,该器件的最大齐纳电流为 20mA,能够在较低的电流下保持良好的稳压性能,适用于低功耗设计。动态电阻较低(最大为 800Ω),有助于在负载变化时维持输出电压的稳定性,减少电压波动对系统性能的影响。
  此外,LBZX84C6V2T1G 采用 SOD-523 小型表面贴装封装,适用于高密度 PCB 布局,有助于减小电路板尺寸并提高组装效率。其最大耗散功率为 300mW,可在多种电源条件下稳定工作。
  在电气特性方面,该齐纳二极管的反向漏电流在额定反向电压下仅为 100nA,确保在非导通状态下的功耗极低,适用于电池供电设备和节能型系统设计。
  综上所述,LBZX84C6V2T1G 凭借其高精度、低功耗、小型封装和良好的温度稳定性,广泛应用于各种电子系统中,是理想的电压参考和调节元件。

应用

LBZX84C6V2T1G 主要用于需要高精度电压参考和稳定调节的电子电路中。常见应用包括:
  1. 模拟电路中的参考电压源,如运算放大器偏置电压、ADC/DAC 基准电压等。
  2. 电源管理系统中的电压调节,如电池充电控制电路、低压检测电路等。
  3. 数字系统中的电压基准,用于确保逻辑电平的稳定性。
  4. 便携式设备中的低功耗参考源,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。
  5. 工业控制系统中的信号调理电路和电压监测模块。

替代型号

MMSZ5231B-7-F, BZX84-C6V2, ZMM6V2, LNZ84C6V2

LBZX84C6V2T1G推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价