类型：齐纳二极管
　　齐纳电压：15V
　　最大齐纳电流：200mA
　　功率耗散：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：SOT-23（3引脚）
　　最大反向漏电流：100nA（@ 10V）
　　动态电阻：25Ω（典型值）
　　温度系数：±100ppm/°C

LBZX84C15VLT 采用了先进的硅平面技术，具有良好的稳定性和低温度漂移特性。其SOT-23封装设计使其非常适合用于空间受限的高密度电路板布局。该器件的齐纳电压精度高，典型公差为±1%，可提供稳定的参考电压。此外，其快速响应时间和低动态阻抗特性使其在电压调节和保护电路中表现出色。LBZX84C15VLT 还具有良好的热稳定性和长期可靠性，适用于各种工业和消费类电子产品。
　　该器件的额定功耗为300mW，能够在-55°C至150°C的宽温度范围内稳定工作，适应各种严苛环境条件。其低反向漏电流（最大100nA）有助于减少静态功耗并提高电路效率。LBZX84C15VLT 的动态电阻较低，典型值为25Ω，这有助于在负载变化时保持输出电压的稳定。此外，其温度系数为±100ppm/°C，确保了在温度变化时电压的稳定性。

LBZX84C15VLT 主要用于电源管理、电压参考、电压调节和过压保护电路中。常见应用包括便携式设备、电池供电系统、数据采集系统、工业控制系统、通信设备以及各类嵌入式系统的电压基准源。该器件也可用于运算放大器电路中的参考电压生成，以及作为电压监测和保护电路中的关键元件。由于其高稳定性和紧凑的封装形式，LBZX84C15VLT 特别适合用于需要高精度电压参考的小型化电子设备中。

BZX84C15-7-F, MMSZ4685T1G, 1N4744A-TR