NVD5867NLT4G 时间：2025/4/28 18:10:19 阅读：2

NVD5867NLT4G 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，专为高频和高功率应用而设计。该器件采用先进的 GaN-on-Silicon 工艺制造，具备出色的开关速度和效率，适合用于电源转换、射频放大器以及其他需要高效能量传输的场景。
　　其封装形式通常为表面贴装类型，便于自动化生产与散热管理。NVD5867NLT4G 的主要优势在于低导通电阻和快速开关特性，这使得它在高频工作条件下依然能保持高效率。

参数

额定电压：650V
　　额定电流：25A
　　导通电阻：45mΩ
　　栅极电荷：90nC
　　开关频率：最高可达 5MHz
　　封装形式：TO-247 或其他表面贴装形式
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃

特性

1. 高效能量转换：由于采用了 GaN 材料，NVD5867NLT4G 能够在高频条件下实现更高的能量转换效率，减少损耗。
　　2. 快速开关能力：相比传统硅基 MOSFET，这款 GaN 晶体管具有更快的开关速度，从而降低开关损耗。
　　3. 小型化设计：得益于 GaN 技术的特性，该器件能够在更小的体积内提供更高的性能。
　　4. 热稳定性强：即使在高温环境下也能保持稳定的性能输出，非常适合工业级或汽车级应用。
　　5. 宽禁带材料：GaN 具有宽禁带特性，能够承受更高的电压和温度，同时提高系统可靠性。

应用

1. 电源适配器和充电器：特别适用于快充设备，能够显著提升充电效率并减小产品体积。
　　2. 数据中心电源：用于服务器电源模块中，可大幅提高能量转换效率。
　　3. 无线充电系统：支持更高频率的操作，有助于优化无线充电体验。
　　4. 太阳能逆变器：在光伏逆变器中使用，可以有效减少能量损失。
　　5. 射频放大器：适合高频通信领域的射频功率放大应用。