LBZX84C11T1G 时间：2025/8/13 3:08:43 阅读：22

LBZX84C11T1G 是一款由ONSEMI（安森美半导体）制造的表面贴装齐纳二极管（Zener Diode），主要用于电压调节和参考电压源的应用。这款齐纳二极管采用SOD-523封装，适用于便携式设备、电源管理电路以及需要低功耗和小尺寸解决方案的场合。该器件具有稳定的击穿电压、快速的响应时间和良好的温度稳定性。

参数

类型：齐纳二极管
　　最大耗散功率：300 mW
　　齐纳电压：1.1 V
　　最大齐纳电流：150 mA
　　封装类型：SOD-523
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ 150°C

特性

LBZX84C11T1G 齐纳二极管具有多个显著的电气和物理特性，使其适用于广泛的电子电路设计。
　　首先，该器件的齐纳电压为1.1V，适用于低电压调节应用，尤其适合在需要精确电压参考的设计中使用。其最大齐纳电流为150 mA，能够提供足够的电流能力以满足大多数低功耗电路的需求。此外，该器件的最大耗散功率为300 mW，能够在小尺寸封装下提供较高的功率处理能力，从而确保在不同工作条件下的稳定性。
　　其次，LBZX84C11T1G 采用SOD-523封装形式，体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用。这种封装形式也支持自动贴片工艺，提高了生产效率和装配可靠性。同时，该器件的工作温度范围为-55°C至150°C，具备良好的温度适应性，可在恶劣环境下稳定工作。
　　最后，该齐纳二极管具有优良的温度系数和动态阻抗特性，确保在不同温度条件下电压调节的精度和稳定性。这使其在精密模拟电路、电池供电设备、电压监测系统等应用中表现出色。

应用

LBZX84C11T1G 主要应用于需要低电压参考和调节的电子电路中。例如，在便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中，它可用作基准电压源或电压调节元件，以确保系统稳定运行。此外，该器件也广泛用于电源管理模块、ADC/DAC参考电压源、传感器接口电路以及电池充电电路中。
　　在工业控制和自动化系统中，LBZX84C11T1G 可用于电压监测和保护电路，以防止电压波动对系统造成损害。其良好的温度稳定性和小尺寸封装也使其适用于高密度、高可靠性的电路设计。此外，该器件还可用于通信设备、测试仪器、消费类电子产品以及汽车电子系统中的电压调节和参考源设计。